[发明专利]主机驻留式转换层有效性检查

说明书

本文中公开了装置和技术以用于在主机驻留式FTL操作模式期间在存储器装置处验证主机生成的物理地址以改善对所述存储器装置的错误存取或潜在地恶意存取，其中一种方法包括以下步骤：在存储器系统处从主机接收存储器请求，所述存储器请求包含与所述主机相关联的逻辑块地址LBA和与所述存储器系统相关联的物理地址；从所述存储器系统的映射表检索与从所述主机接收到的所述LBA相关联的正确物理地址；使用所述正确物理地址执行与所述存储器请求相关联的存储器操作；以及将请求信息、所述LBA和所述正确物理地址返回到所述主机。

优先权主张

本申请要求帕尔默(Palmer)享有以下优先权：2018年8月3日提交的“主机驻留式转换层有效性检查(HOST-RESIDENT TRANSLATION LAYER VALIDITY CHECK)”的序列号为16/054,072(案卷编号：303.G76US1)的美国非临时专利申请的优先权，以及2018年8月3日提交的“主机驻留式转换层触发主机刷新(HOST-RESIDENT TRANSLATION LAYER TRIGGEREDHOST REFRESH)”的序列号为16/054,109(案卷编号：303.G92US1)的美国非临时专利申请的优先权，所述申请中的每一个特此以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

通常将存储器装置提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持数据且包含随机存取存储器(random-access memory；RAM)、动态随机存取存储器(dynamic random-access memory；DRAM)和同步动态随机存取存储器(synchronousdynamic random-access memory；SDRAM)等等。非易失性存储器可通过在未被供电时保持所存储数据而提供持久的数据，并且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁阻随机存取存储器(MRAM)、3D XPoint^TM存储器等等。

存储器单元通常布置成矩阵或阵列。多个矩阵或阵列可组合到存储器装置中，并且多个装置可组合以形成存储器系统的存储容量，例如固态驱动器(solid-state drive；SSD)、通用快闪存储(UFS^TM)装置、多媒体卡(MMC)固态存储装置、嵌入式MMC装置(eMMC^TM)等。

存储器系统可包含一或多个处理器或其它存储器控制器，其执行逻辑函数以操作存储器装置或与外部系统介接。存储器矩阵或阵列可包含组织成数个物理页的数个存储器单元块。存储器系统可从与存储器操作相关联的主机接收命令，所述存储器操作例如在存储器装置和主机之间传送数据(例如，用户数据和相关联的完整性数据，例如错误数据和地址数据等)的读取或写入操作、从存储器装置擦除数据的擦除操作，或执行一或多个其它存储器操作。

利用存储器作为用于多种多样的电子应用的易失性和非易失性数据存储装置，所述电子应用包含例如个人计算机、便携式记忆棒、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)、电影播放器和其它电子装置。存储器单元可布置成阵列，其中阵列在存储器装置中使用。