[发明专利]与写入操作相关联的预读取操作的调整

说明书

可在存储器子系统处接收数据。可识别所述存储器子系统的特性。可基于所述存储器子系统的所述特性而确定读取电压电平。可基于所述读取电压电平而在所述存储器子系统处执行读取操作以检索所存储数据。可基于依靠基于所述读取电压电平的所述读取操作检索到的所述所存储数据而在所述存储器子系统处存储所述所接收数据。

技术领域

本公开大体上涉及一种存储器子系统，且更具体地说，涉及与存储器子系统中的写入操作相关联的预读取操作的调整。

背景技术

存储器子系统可为存储系统，例如固态驱动器(SSD)，并且可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可例如为非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图，将更充分地理解本公开。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。

图2为根据一些实施例的用以调整用于预读取操作的读取电压电平的实例方法的流程图。

图3A说明根据本公开的一些实施例的将施加到存储器单元的实例读取电压电平。

图3B说明根据本公开的一些实施例的施加到具有电压漂移的存储器单元的实例读取电压电平。

图3C说明根据本公开的一些实施例的施加到具有电压漂移的存储器单元的调整后的读取电压电平。

图4为根据一些实施例的用以通过调整后的预读取操作执行写入操作的实例方法的流程图。

图5为根据一些实施例的用以确定用于预读取操作的读取电压电平的实例方法的流程图。

图6为根据一些实施例的用以识别确定用于预读取操作的新读取电压电平的条件的发生的实例方法的流程图。

图7为本公开的实施方案可在其中操作的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的方面是关于与写入操作相关联的预读取操作的调整。存储器子系统在下文也称为“存储器装置”。存储器子系统的实例为存储系统，例如固态驱动器(SSD)。在一些实施例中，存储器子系统为混合式存储器/存储子系统。一般来说，主机系统可利用包含一或多个存储器组件的存储器子系统。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索到的数据。

在常规存储器子系统中，可用读取电压电平执行读取操作。读取电压电平可为施加到存储器组件的存储器单元以读取存储在存储器单元处的数据的特定电压。例如，如果特定存储器单元的阈值电压被识别为低于施加到特定存储器单元的读取电压电平，则存储在特定存储器单元处的数据可为特定值(例如，‘1’)，并且如果特定存储器单元的阈值电压被识别为高于读取电压电平，则存储在特定存储器单元处的数据可为另一个值(例如，‘0’)。因此，可将读取电压电平施加到存储器单元以确定存储在存储器单元处的值。

常规存储器子系统中的存储器单元的阈值电压可随时间推移而漂移或改变。在存储器单元的阈值电压改变时，读取电压电平的施加相对于改变后的阈值电压可能不准确。例如，存储器单元可被编程为具有低于读取电压电平的阈值电压。已编程阈值电压会随时间推移而改变，并且可转变为高于读取电压电平。例如，存储器单元的阈值电压可从最初低于读取电压电平转变为高于读取电压电平。因此，在将读取电压电平施加到存储器单元时，与阈值电压尚未转变时最初存储的值相比，存储在存储器单元处的数据可能被误读或误解为错误的值。