[发明专利]用于量子微波电路的频散-电阻混合衰减器在审
申请号: | 201980056949.4 | 申请日: | 2019-08-15 |
公开(公告)号: | CN112640199A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | B·阿卜多 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P1/22 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李永敏;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 量子 微波 电路 电阻 混合 衰减器 | ||
1.一种具有两个端口的混合微波衰减器电路(电路),包括:
电阻组件,其被配置为衰减输入信号(被发送信号)中的多个频率;以及
频散组件,其被配置为通过所述输入信号在频率范围内的第二多个频率处的反射来衰减在所述频率范围内的所述第二多个频率,其中,所述电阻组件和所述频散组件被布置成在所述混合衰减器的所述两个端口之间相对于彼此的串联配置。
2.根据权利要求1所述的电路,其中,所述频散组件还包括:
低通滤波器;以及
高通滤波器。
3.根据权利要求2所述的电路,其中,所述低通滤波器针对所述输入信号中在量子比特频率范围内和以上的频率提供大于阈值的衰减,并且其中,所述高通滤波器针对所述被发送信号中在量子比特频率范围内和以下的频率提供大于所述阈值的衰减。
4.根据权利要求2或3中任一项所述的电路,其中,所述低通滤波器包括电感元件和电容元件的配置,以使得所述电容元件中的至少一个被耦接到外部导体,所述外部导体是混合衰减器外壳的一部分。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的电路,其中,所述高通滤波器包括电感元件和电容元件的配置,以使得所述电感元件中的至少一个被耦接到外部导体,所述外部导体是混合衰减器壳体或外壳的一部分。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的电路,其中,所述频散组件还包括:
带通滤波器。
7.根据权利要求6所述的电路,其中,所述带通滤波器针对所述被发送信号中在量子比特频率范围之外的频率提供大于阈值的衰减。
8.根据权利要求6或7所述的电路,其中,所述带通滤波器包括电感元件和电容元件的配置,以使得所述电容元件中的一些电容元件与所述混合衰减器的内部导体串联并且作为直流块工作,并且其中,所述电感元件中的一些电感元件被连接在所述混合衰减器的内部导体和外部导体之间。
9.根据前述权利要求中任一项所述的电路,其中,所述电阻组件包括以T布置或π布置来配置的一组电阻元件。
10.根据前述权利要求中任一项所述的电路,其中,所述电阻组件针对所述输入信号的所有频率提供大于阈值的衰减。
11.一种方法,包括:
配置电阻组件以衰减输入信号(被发送信号)中的多个频率;以及
配置频散组件以通过所述输入信号在频率范围内的第二多个频率处的反射来衰减所述频率范围内的所述第二多个频率,其中,所述电阻组件和所述频散组件被布置成在所述混合衰减器的所述两个端口之间相对于彼此的串联配置。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述频散组件还包括:
低通滤波器;以及
高通滤波器。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述低通滤波器针对所述输入信号中在量子比特频率范围内和以上的频率提供大于阈值的衰减,并且其中,所述高通滤波器针对所述被发送信号中在量子比特频率范围内和以下的频率提供大于所述阈值的衰减。
14.根据权利要求12或13中任一项所述的方法,其中,所述低通滤波器包括电感元件和电容元件的配置,以使得所述电容元件中的至少一个被耦接到外部导体,所述外部导体是混合衰减器外壳的一部分。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法,其中,所述高通滤波器包括电感元件和电容元件的配置,以使得所述电感元件中的至少一个被耦接到外部导体,所述外部导体是混合衰减器壳体或外壳的一部分。
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