[发明专利]使用纳米结构材料的传输线及其制造方法

权利要求书

1.一种使用纳米结构材料的传输线，该传输线包括：

第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；

第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；

第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及

第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方，

其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。

2.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。

3.根据权利要求1所述的传输线，所述传输线进一步包括：

第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及

第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上。

4.根据权利要求1所述的传输线，所述传输线进一步包括：

第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；

第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上；

第三纳米氟龙层，其定位在所述第二接地层上；

第二绝缘层，其定位在所述第三纳米氟龙层上；以及

第二图案，其通过蚀刻形成在所述第二绝缘层上的第二导电层而形成，并且所述传输线发送信号。

5.根据权利要求4所述的传输线，其中，所述第二图案包括通过蚀刻所述第二导电层形成的接地线和被配置为发送信号的信号线。

6.根据权利要求4所述的传输线，其中，所述第二绝缘层是通过用绝缘材料涂覆所述第三纳米氟隆层的顶部而形成的第二涂覆层。

7.根据权利要求4所述的传输线，所述传输线进一步包括：

第四纳米氟隆层，其定位在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上，并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及

第三接地层，其定位在所述第四纳米氟隆层上。

8.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。

9.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一绝缘层是通过用绝缘材料涂覆所述第一纳米氟隆层的顶部而形成的第一涂覆层。

10.根据权利要求1、3、4和7中任一项所述的传输线，其中，通过使用粘合带或粘合剂或使用其中将热施加到粘合带上的热粘合的粘合来进行定位。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的传输线，其中，所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层是聚酰亚胺(PI)，并且所述导电层是铜(Cu)。

12.一种使用纳米结构材料制造传输线的方法，该方法包括：

在第一绝缘层上方形成第一导电层；

通过蚀刻所述第一导电层形成发送和接收信号的第一图案；

在由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层上方定位所述第一绝缘层；以及

在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层，

其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成接地线和信号线。

14.根据权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括：

在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及

在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层。