[发明专利]制造方解石纳米流体通道

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

将光致抗蚀剂层涂覆到氮化硅(SiN)衬底的顶表面上；

在涂覆所述光致抗蚀剂层之后，用电子束以预定图案扫描所述光致抗蚀剂层；

将扫描的光致抗蚀剂显影，从而以所述预定图案暴露所述SiN衬底的所述顶表面的部分；

使用方解石前体气体，利用原子层沉积(ALD)以所述预定图案沉积方解石；和

使用溶剂移除所述光致抗蚀剂层的剩余部分以暴露在所述SiN衬底的所述顶表面上以所述预定图案沉积的方解石，其中所述沉积的方解石的宽度在50至100纳米(nm)的范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

将所述SiN衬底插入到具有入口和出口的液体池透射电子显微镜(TEM)支架中；

将样品沉积到所述SiN衬底和所述沉积的方解石上；

将芯片用窗口密封在所述TEM支架上；和

在通过所述入口注入所述样品并且通过所述出口移除所述样品的同时使用TEM对所述芯片进行成像。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述SiN衬底的尺寸取决于所述TEM支架中的孔的尺寸，并且小于所述TEM支架中的孔的尺寸。

4.根据权利要求1所述的方法，其中涂覆所述光致抗蚀剂层采用旋涂在所述SiN衬底的所述表面上的环氧系负性光致抗蚀剂层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述环氧系负性光致抗蚀剂是聚二甲基硅氧烷(PDMS)或SU-8。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述样品是液体或含有纳米颗粒的液体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶剂包括丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯或二丙酮醇。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述窗口包括导电且光学透明的SiN窗口。

9.一种系统，所述系统包括：

纳米流体器件，其中所述器件包括：包括衬底的底部和包括方解石通道结构的顶部，所述方解石通道结构包括至少一个具有在大约50至100纳米范围内的长度的侧面；

用于所述器件的外壳；和

用于提供电子束的电子源。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述衬底包括硅。

11.根据权利要求9所述的系统，其中所述电子源是扫描电子显微(SEM)。

12.根据权利要求9所述的系统，其中所述外壳包括：

包括窗口的顶部；

被配置成支撑所述器件的底部；

被配置成使流体能够进入所述器件的入口管线；和

被配置成使所述流体能够离开所述器件的出口管线。

13.根据权利要求9所述的系统，其中所述窗口包括导电且光学透明的材料。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述导电且光学透明的材料包括SiN。