[发明专利]旋转电机控制装置

权利要求书

1.一种旋转电机控制装置，其通过第1逆变器以及第2逆变器驱动控制具有相互独立的多相开路绕组的旋转电机，其中，

所述第1逆变器连接到所述多相开路绕组的一端侧，在直流和多相交流之间变换电力，

所述第2逆变器连接到所述多相开路绕组的另一端侧，在直流和多相交流之间变换电力，

所述第1逆变器以及所述第2逆变器分别能够以开关模式和开关频率中的至少一个不同的多个控制方式进行控制，并且能够以相互独立的所述控制方式进行控制，

作为所述旋转电机的控制区域，设定有在相同的扭矩下所述旋转电机的转速相对低的第1速度区域和所述旋转电机的转速高于所述第1速度区域的转速的第2速度区域，

所述旋转电机控制装置具有如下控制模式：在所述第1速度区域中以相同的控制方式控制所述第1逆变器和所述第2逆变器，在所述第2速度区域中以不同的控制方式控制所述第1逆变器和所述第2逆变器。

2.根据权利要求1所述的旋转电机控制装置，其中，

在所述第2速度区域中，根据所述旋转电机的转速设定所述第1逆变器以及所述第2逆变器各自的控制方式。

3.根据权利要求1所述的旋转电机控制装置，其中，

在所述第2速度区域中，根据多相交流电力的有效值相对于直流电力的比率设定所述第1逆变器以及所述第2逆变器各自的控制方式。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的旋转电机控制装置，其中，

在所述开关模式不同的控制方式中包括：脉冲宽度调制控制，在电角度的一周期中输出模式不同的多个脉冲；以及矩形波控制，在电角度的一周期中输出一个脉冲。

5.根据权利要求4所述的旋转电机控制装置，其中，

所述脉冲宽度调制控制包括连续脉冲宽度调制以及不连续脉冲宽度调制，作为分别不同的多个所述控制方式，

所述连续脉冲宽度调制包括正弦波脉冲宽度调制以及空间矢量脉冲宽度调制，作为分别不同的多个所述控制方式，

所述不连续脉冲宽度调制包括异步调制和同步调制，作为分别不同的多个所述控制方式，在所述异步调制中，与所述旋转电机的旋转不同步地输出脉冲，在所述同步调制中，输出与所述旋转电机的旋转同步的脉冲，

所述同步调制包括多个脉冲调制，在所述多个脉冲调制中，在所述旋转电机的电角度的每个周期输出多个脉冲。

6.根据权利要求4或5所述的旋转电机控制装置，其中，

在所述第1逆变器以及所述第2逆变器中，用于每个交流相的臂由上级侧开关元件和下级侧开关元件的串联电路构成，

在所述开关模式不同的控制方式中包括主动短路控制，在所述主动短路控制中，将全部多相的所述臂的所述上级侧开关元件设为接通状态或者将全部多相的所述臂的所述下级侧开关元件设为接通状态。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的旋转电机控制装置，其中，

在所述第1逆变器和所述第2逆变器中，在执行所述脉冲宽度调制控制时由相对低的开关频率的脉冲控制的一个逆变器，使用在断开状态和接通状态之间过渡时开关损失相对大的第1开关元件构成，在执行所述脉冲宽度调制控制时由相对高的开关频率的脉冲控制的另一个逆变器，使用所述开关损失相对小的第2开关元件构成。

8.根据权利要求7所述的旋转电机控制装置，其中，

所述第1开关元件是Si-IGBT或Si-MOSFET，所述第2开关元件是SiC-MOSFET、GaN-MOSFET或SiC-IGBT。