[发明专利]温度传感器及包括温度传感器的装置在审

专利信息
申请号: 201980051295.6 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN112513599A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 野尻俊幸 申请(专利权)人: 世美特株式会社
主分类号: G01K7/22 分类号: G01K7/22;G01J1/02;G01J5/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 日本东京墨*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 温度传感器 包括 装置
【权利要求书】:

1.一种温度传感器,其特征在于包括:

感热元件,具有绝缘性基板、形成在所述绝缘性基板上的感热膜、及形成在所述绝缘性基板上并与所述感热膜电性连接的电极层;

引线构件,具有通过焊接接合与所述电极层电性连接的接合部、及自所述接合部一体地延伸出的引线部;以及

一对绝缘性膜,自两面夹着至少所述感热元件及引线构件的接合部而密封。

2.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于:将所述感热元件及引线构件的接合部由一对绝缘性膜自两面夹着而进行密封的状态下的总厚度尺寸为230μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的温度传感器,其特征在于:所述绝缘性基板的厚度尺寸为100μm以下,弯曲强度为690MPa以上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的温度传感器,其特征在于:所述感热元件中的电极层的厚度尺寸为1μm以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的温度传感器,其特征在于:所述引线构件的厚度尺寸或外径尺寸为100μm以下。

6.根据权利要求1至5中任一项的温度传感器,其特征在于:在所述绝缘性膜的至少一表面上具有热熔接层。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的温度传感器,其特征在于:热硬化层介隔存在于所述一对绝缘性膜之间。

8.根据权利要求7所述的温度传感器,其特征在于:所述热硬化层是红外线放射率高的膜。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的温度传感器,其特征在于:在所述一对绝缘性膜的至少一个的外表面设置有金属箔。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的温度传感器,其特征在于:所述感热元件是薄膜热敏电阻。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的温度传感器,其特征在于:所述感热元件中的电极层包括:活性层,将高熔点金属作为主要成分;阻挡层,形成在所述活性层上,且将高熔点金属作为主要成分;以及接合层,形成在所述阻挡层上,且将低熔点金属作为主要成分。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的温度传感器,其特征在于:所述引线构件的热传导率为25W/(m·K)以下。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的温度传感器,其特征在于:所述引线构件由熔点为1300℃以下的金属材料形成。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的温度传感器,其特征在于:所述绝缘性基板由陶瓷材料形成。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的温度传感器,其特征在于:所述绝缘性膜包括具有生物适应性的材料。

16.一种包括温度传感器的装置,其特征在于:包括如权利要求1至15中任一项所述的温度传感器。

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