[发明专利]谐振腔表面声波(SAW)滤波器

权利要求书

1.一种耦合腔滤波器结构，所述耦合腔滤波器结构使用表面声波，具体地使用引导表面声波，所述耦合腔滤波器结构包括：

声波传播基板(102)；

至少一个输入换能器结构(112、506)和一个输出换能器结构(114、506)，所述至少一个输入换能器结构(112、506)和所述一个输出换能器结构(114、506)设置在所述基板(102)上，所述至少一个输入换能器结构(112、506)和所述一个输出换能器结构(114、506)各自包括叉指梳状电极(124、126、508、510)；

一个反射结构(116)，所述反射结构(116)包括至少一个或更多个槽(122)，所述反射结构(116)在声波传播方向上定位在所述输入换能器结构与所述输出换能器结构(112、114、506)之间的距离d处；

其特征在于，

所述声波传播基板(102)是包括基底基板(106)和压电层(104)的复合基板。

2.根据权利要求1所述的耦合腔滤波器结构，所述耦合腔滤波器结构被构造成使得所述表面声波是所述压电层(104)内的剪切波或纵波，具体地是所述压电层(104)内的引导剪切波或引导纵波。

3.根据权利要求1或2所述的耦合腔滤波器结构，其中，所述至少一个输入换能器结构(112)和所述一个输出换能器结构(114)的所述叉指梳状电极(124、126)由通过p＝λ/2给出的布拉格条件限定，λ是所述换能器结构(112、114)的工作声波长，并且p是所述换能器结构(112、114)的电极节距。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的耦合腔滤波器结构，所述耦合腔滤波器结构还包括至少一个布拉格镜(132、134)，所述至少一个布拉格镜(132、134)在所述声波传播方向上与所述输入换能器结构(112)和/或所述输出换能器结构(114)分开地位于所述一个反射结构(116)所在侧的相反侧上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的耦合腔滤波器结构，所述耦合腔滤波器结构包括多个反射结构，所述多个反射结构通过间隙g彼此分开，在所述声波传播方向上定位在所述输入换能器结构与所述输出换能器结构(112、114、506)之间的距离d处，所述反射结构(116、202、204、206、208、302、304、306、308、310、312、402、404、408)之间的各个间隙g以及换能器结构(112、114)与其相邻反射结构之间的各个间隙d形成声腔(120、212、214、316、408)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的耦合腔滤波器结构，其中，各个声腔(120、212、214、316、408)的尺寸小于λ/4，具体地使得所述声腔(120、212、214、316、408)中的相速度优于所述反射结构(116、202、204、206、208、302、304、306、308、310、312、402、404、408)中的相速度。

7.根据权利要求5或6所述的耦合腔滤波器结构，其中，所述多个反射结构中的相邻反射结构(202、204、206、208、302、304、306、308、310、312、402、404、408)之间的距离g和/或反射结构(116、202、204、206、208、302、304、306、308、310、312、402、404、408)与相邻换能器结构(112、114、506)之间的距离d相同或不同。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的耦合腔滤波器结构，其中，所述反射结构(116)或所述反射结构(202、204、206、208、302、304、306、308、310、312、402、404、408)具有与单体金属条有关的反射系数，所述反射系数优于与所述复合基板(102)以及所述换能器结构(112、114、506)的所述梳状电极(124、126、604、606)有关的耦合系数k_s²，具体地，反射系数优于所述耦合系数k_s²至少1.5倍。