[发明专利]能量存储装置

权利要求书

1.一种制造能量存储装置的方法，所述方法包括：

在基底的第一侧上提供第一堆叠，所述第一堆叠包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的第一电解质层，所述第一电极层比所述第二电极层更靠近基底的第一侧；

在基底的与基底的第一侧相反的第二侧上提供第二堆叠，所述第二堆叠包括第三电极层、第四电极层以及在第三电极层和第四电极层之间的第二电解质层，所述第三电极层比所述第四电极层更靠近基底的第二侧；

在第一堆叠的第一侧中形成第一凹槽，第一堆叠的与第一堆叠的第二侧相反的第一侧与基底的第一侧接触，所述第一凹槽具有第一深度；

在第二堆叠的第一侧中形成第二凹槽，第二堆叠的与第二堆叠的第二侧相反的第一侧与基底的第二侧接触，所述第二凹槽具有第二深度；

在第一堆叠的第一侧中形成第三凹槽，所述第三凹槽具有不同于第一深度的第三深度；和

在第二堆叠的第一侧中形成第四凹槽，所述第四凹槽具有不同于第二深度的第四深度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹槽与所述第二凹槽基本对准，并且所述第三凹槽与所述第四凹槽基本对准。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在不切割基底的情况下形成第一凹槽和第二凹槽，在不切割第一电极层的情况下形成第三凹槽，并且在不切割第三电极层的情况下形成第四凹槽。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述第一深度与所述第二深度基本相同，并且所述第三深度与所述第四深度基本相同。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在不切割所述第一电极层的情况下形成所述第一凹槽，在不切割所述基底的情况下形成所述第二凹槽，在不切割所述基底的情况下形成所述第三凹槽，并且在不切割第三电极层的情况下形成所述第四凹槽。

6.根据权利要求1、2或5中任一项所述的方法，其中，所述第一深度与所述第四深度基本相同，并且所述第三深度与所述第二深度基本相同。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述第一凹槽的第一深度、所述第二凹槽的第二深度、所述第三凹槽的第三深度或所述第四凹槽的第四深度中的至少一个基本上垂直于基底的第一侧的平面。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法，其中，

形成第一凹槽和形成第三凹槽使用导向基底的第一侧的第一至少一个激光束；和

形成第二凹槽和形成第四凹槽使用导向基底的第二侧的第二至少一个激光束。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，包括折叠所述基底以提供多堆叠布置，所述多堆叠布置包括：

在基底的第一侧的第一部分上的第一堆叠的第一部分；

在基底的第二侧的第一部分上的第二堆叠的第一部分，基底的第二侧的第一部分与基底的第一侧的第一部分相反，第二堆叠的第一部分与第一堆叠的第一部分重叠；

在基底的第一侧的第二部分上的第一堆叠的第二部分，第一堆叠的第二部分与第一堆叠的第一部分和第二堆叠的第一部分重叠；和

在基底的第二侧的第二部分上的第二堆叠的第二部分，基底的第二侧的第二部分与基底的第一侧的第二部分相反，第二堆叠的第二部分与第一堆叠的第一部分、第二堆叠的第一部分和第一堆叠的第二部分重叠。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在折叠所述基底之后：

所述第一凹槽在所述第一堆叠的第一部分与所述第一堆叠的第三部分之间，所述第一堆叠的第三部分在基底的第一侧的第三部分上，在与所述第一堆叠的第一部分基本相同的平面中；和

所述方法包括沿着与第一凹槽基本对准的纵向轴线切割多堆叠布置。