[发明专利]形成光栅构件的方法

权利要求书

1.一种形成光栅构件的方法，包括：

在衬底顶部提供光栅层；

在所述光栅层顶部提供图案化硬掩模；以及

对所述光栅层及所述硬掩模进行蚀刻，以在所述光栅层中形成光栅，其中所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置，并且其中所述蚀刻使得所述成角构件中的每一个的宽度比所述成角构件中的每一个的高度减小得更快，以形成所述光栅的具有不同角度的第一平坦侧壁及第二平坦侧壁。

2.根据权利要求1所述的形成光栅构件的方法，其中形成所述光栅包括蚀刻到所述光栅层中。

3.根据权利要求1所述的形成光栅构件的方法，其中所述蚀刻包括成角反应离子蚀刻。

4.根据权利要求3所述的形成光栅构件的方法，其中所述成角反应离子蚀刻由带状反应离子束执行，其中所述衬底使用处理配方沿着相对于所述带状反应离子束的扫描方向被扫描，并且其中所述带状反应离子束具有束角度平均值及束扩展，所述束扩展为汇聚或发散中的一者。

5.根据权利要求4所述的形成光栅构件的方法，其中所述处理配方包括多个工艺参数，所述多个工艺参数具有改变所述多个成角构件的形状或尺寸的效果。

6.根据权利要求5所述的形成光栅构件的方法，其中所述多个工艺参数包括以下中的一者或多者：所述光栅层的材料、相对于所述光栅层的化学特性及在所述光栅层顶部形成的硬掩模的所述带状反应离子束的化学特性、在所述光栅层之下形成的蚀刻终止层、带状反应离子束强度、用于形成所述带状反应离子束的不同气体的相对压力、形成所述带状反应离子束的温度、带状反应离子束角度及带状反应离子束扩散。

7.根据权利要求1所述的形成光栅构件的方法，其中所述蚀刻使所述图案化硬掩模在所述光栅层被移除到蚀刻终止层的顶表面之前被移除。

8.根据权利要求1所述的形成光栅构件的方法，还包括通过以下方式形成所述光栅：

将图案形成到芯片中；以及

使用纳米压印光刻工艺将所述图案转移到所述光栅层。

9.一种形成光栅构件的方法，包括：

在衬底顶部提供光栅层；

在所述光栅层顶部提供图案化硬掩模；以及

对所述光栅层及所述硬掩模进行蚀刻，以在所述光栅层中形成光栅，其中所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置，并且其中所述蚀刻使得所述成角构件中的每一个的宽度比所述成角构件中的每一个高度减小得更快，以形成所述多个成角构件的具有不同角度的第一平坦侧壁及第二平坦侧壁。

10.根据权利要求9所述的形成光栅构件的方法，其中形成所述光栅包括使用成角反应离子蚀刻而蚀刻到所述光栅层中。

11.根据权利要求10所述的形成光栅构件的方法，其中所述成角反应离子蚀刻由带状反应离子束执行，其中所述衬底使用处理配方沿着相对于所述带状反应离子束的扫描方向被扫描，并且其中所述带状反应离子束具有束角度平均值及束扩展，所述束扩展为汇聚或发散中的一者。

12.根据权利要求11所述的形成光栅构件的方法，其中所述处理配方包括多个工艺参数，所述多个工艺参数具有改变所述多个成角构件的形状或尺寸的效果。

13.根据权利要求12所述的形成光栅构件的方法，其中所述多个工艺参数包括以下中的一者或多者：所述光栅层的材料、相对于所述光栅层的化学特性及在所述光栅层顶部形成的硬掩模的所述带状反应离子束的化学特性、在所述光栅层之下形成的蚀刻终止层、带状反应离子束强度、用于形成所述带状反应离子束的不同气体的相对压力、形成所述带状反应离子束的温度、带状反应离子束角度及带状反应离子束扩散。

14.根据权利要求9所述的形成光栅构件的方法，其中所述蚀刻使所述图案化硬掩模在所述光栅层被移除到蚀刻终止层的顶表面之前被移除。