[发明专利]NTC物料、热敏电阻和制造该热敏电阻的方法在审

专利信息
申请号: 201980043114.5 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN112334430A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: M·纳德雷尔 申请(专利权)人: TDK电子股份有限公司
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C01G45/12;C01G53/00;C04B35/64;C04B41/00;H01C7/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 章敏;林毅斌
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: ntc 物料 热敏电阻 制造 方法
【权利要求书】:

1.用于制造热敏电阻的NTC物料,其含有Mn-Ni-O体系的陶瓷材料作为主要成分,该陶瓷材料具有NixMn2O4-δ的通用组成,

其中y对应于Mn-Ni-O体系的陶瓷材料的总金属含量中的Ni摩尔比例,其定义为c(Ni):(c(Ni) + c(Mn),并且适用的是:

0.500 x 0.610

0.197 y 0.240。

2.根据权利要求1所述的NTC物料,其中对于x和y而言适用的是:

0.520 ≤ x ≤ 0.544

0.206 ≤ y ≤ 0.214。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的NTC物料,其附加地含有至少ZrO2作为掺杂剂,其中a对应于ZrO2的含量并且基于100重量%的NixMn2O4-δ计,其中适用的是:

0.58重量% ≤ a ≤ 0.72重量%。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的NTC物料,其中所述陶瓷材料具有通式AB2O4的尖晶石结构,其中所述A位置至少被Ni占据,并且所述B位置至少被Mn占据。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的NTC物料,其附加地包含至少一种选自CuO和Al2O3的B值调节剂。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的NTC物料,其仅包含CuO或仅包含Al2O3作为B值调节剂,其中b对应于Al2O3的含量,并且c对应于CuO的含量,并且基于100重量%的NixMn2O4-δ计适用的是:

0重量% ≤ b ≤ 13.9重量%

0重量% ≤ c ≤ 8.6重量%。

7.热敏电阻,其具有陶瓷基体,其中所述陶瓷基体含有根据权利要求1至6中任一项所述的NTC物料。

8.根据权利要求7所述的热敏电阻,其中选择组成,以使得所述热敏电阻在没有电负载的情况下在150℃下在空气中储存时,在2000小时后最多具有基于在25℃的电阻水平计0.59 ± 0.093%的老化。

9.根据权利要求7或8中任一项所述的热敏电阻,其中所述热敏电阻的B值选自3136 K至4528 K。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的热敏电阻,其中所述热敏电阻的陶瓷基体的比电阻ρ25℃选自48 Ωcm至51540 Ωcm。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的热敏电阻,其中所述热敏电阻具有含有玻璃或聚合物的保护层。

12.制造根据权利要求7至11中任一项所述的热敏电阻的方法,其包括以下制造步骤:

a) 通过由NTC物料制造粒料、压制该粒料和随后在最大1340℃下烧结该压制的粒料,由根据权利要求1至6中任一项所述的NTC物料形成陶瓷基体,

b) 将电极层施加到烧结的陶瓷基体上,

c) 将该电极层烧制到陶瓷基体中。

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