[发明专利]NTC物料、热敏电阻和制造该热敏电阻的方法在审
申请号: | 201980043114.5 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN112334430A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | M·纳德雷尔 | 申请(专利权)人: | TDK电子股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C01G45/12;C01G53/00;C04B35/64;C04B41/00;H01C7/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 章敏;林毅斌 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ntc 物料 热敏电阻 制造 方法 | ||
1.用于制造热敏电阻的NTC物料,其含有Mn-Ni-O体系的陶瓷材料作为主要成分,该陶瓷材料具有NixMn2O4-δ的通用组成,
其中y对应于Mn-Ni-O体系的陶瓷材料的总金属含量中的Ni摩尔比例,其定义为c(Ni):(c(Ni) + c(Mn),并且适用的是:
0.500 x 0.610
0.197 y 0.240。
2.根据权利要求1所述的NTC物料,其中对于x和y而言适用的是:
0.520 ≤ x ≤ 0.544
0.206 ≤ y ≤ 0.214。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的NTC物料,其附加地含有至少ZrO2作为掺杂剂,其中a对应于ZrO2的含量并且基于100重量%的NixMn2O4-δ计,其中适用的是:
0.58重量% ≤ a ≤ 0.72重量%。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的NTC物料,其中所述陶瓷材料具有通式AB2O4的尖晶石结构,其中所述A位置至少被Ni占据,并且所述B位置至少被Mn占据。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的NTC物料,其附加地包含至少一种选自CuO和Al2O3的B值调节剂。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的NTC物料,其仅包含CuO或仅包含Al2O3作为B值调节剂,其中b对应于Al2O3的含量,并且c对应于CuO的含量,并且基于100重量%的NixMn2O4-δ计适用的是:
0重量% ≤ b ≤ 13.9重量%
0重量% ≤ c ≤ 8.6重量%。
7.热敏电阻,其具有陶瓷基体,其中所述陶瓷基体含有根据权利要求1至6中任一项所述的NTC物料。
8.根据权利要求7所述的热敏电阻,其中选择组成,以使得所述热敏电阻在没有电负载的情况下在150℃下在空气中储存时,在2000小时后最多具有基于在25℃的电阻水平计0.59 ± 0.093%的老化。
9.根据权利要求7或8中任一项所述的热敏电阻,其中所述热敏电阻的B值选自3136 K至4528 K。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的热敏电阻,其中所述热敏电阻的陶瓷基体的比电阻ρ25℃选自48 Ωcm至51540 Ωcm。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的热敏电阻,其中所述热敏电阻具有含有玻璃或聚合物的保护层。
12.制造根据权利要求7至11中任一项所述的热敏电阻的方法,其包括以下制造步骤:
a) 通过由NTC物料制造粒料、压制该粒料和随后在最大1340℃下烧结该压制的粒料,由根据权利要求1至6中任一项所述的NTC物料形成陶瓷基体,
b) 将电极层施加到烧结的陶瓷基体上,
c) 将该电极层烧制到陶瓷基体中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK电子股份有限公司,未经TDK电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980043114.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生物催化产生萜烯化合物的方法
- 下一篇:陶瓷构件及电子元件