[发明专利]聚酰亚胺、层积体和包含它们的电子器件

权利要求书

1.一种柔性电子器件用聚酰亚胺膜，其由在对以0.75μm的膜厚在电阻值为4Ωcm的硅晶片上形成有聚酰亚胺膜的层积体进行电容-电压测定时显示出0.005/V以上的最大梯度的聚酰亚胺形成，

其中，所述最大梯度含义如下：使施加到所述聚酰亚胺膜的直流电压在最低电压V1与最高电压V2之间，对于所述硅晶片一边进行最低电压V1至最高电压V2的正向扫描和最高电压V2至最低电压V1的负向扫描一边进行电容测定，第3次正向扫描时的标准化电容-电压曲线中的梯度的绝对值的最大值即为最大梯度，此处，所述最低电压V1是仅观察到所述聚酰亚胺膜的电容的电压，所述标准化电容-电压曲线将最低电压V1下的电容设为1而进行了标准化。

2.如权利要求1所述的柔性电子器件用聚酰亚胺膜，其特征在于，聚酰亚胺的重复单元中的酰亚胺基-CONCO-的重量分数小于38.3重量％。

3.如权利要求1或2所述的柔性电子器件用聚酰亚胺膜，其特征在于，由投料比算出的聚酰亚胺整体中的胺末端基团浓度为29μmol/g以下。

4.一种聚酰亚胺前体，其包含使四羧酸成分(A)和二胺成分(B)反应而得到的重复单元，

所述四羧酸成分(A)至少含有3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐，

所述二胺成分(B)含有：

(B-1)选自1,4-二氨基苯、[1,1’：4’,1”-三联苯]-4,4”-二胺和1,4-双[2-(4-氨基苯基)-2-丙基]苯中的至少一种二胺；和

(B-2)选自9,9-双(4-氨基苯基)芴、4,4’-(((9H-芴-9,9-二基)双([1,1’-联苯]-5,2-二基))双(氧基))二胺和4,4’-([1,1’-联萘]-2,2’-二基双(氧基))二胺中的至少一种二胺，

其中，在二胺成分(B)含有1,4-二氨基苯和9,9-双(4-氨基苯基)芴)时，(B-1)的二胺和(B-2)的二胺以外的二胺化合物的量为20摩尔％以下。

5.如权利要求4所述的聚酰亚胺前体，其中，所述二胺成分(B)以总计40摩尔％以上的比例包含所述(B-1)的二胺和(B-2)的二胺。

6.如权利要求4所述的聚酰亚胺前体，其特征在于，来自3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐和所述(B-1)的二胺的重复单元以及来自3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐和所述(B-2)的二胺的重复单元的比例的合计为40摩尔％以上。

7.一种聚酰亚胺，其是将权利要求4～6中任一项所述的聚酰亚胺前体进行酰亚胺化而得到的。

8.一种聚酰亚胺膜，其为权利要求7所述的聚酰亚胺的膜形态。

9.一种柔性电子器件，其包含权利要求1～3中任一项所述的聚酰亚胺膜。

10.如权利要求9所述的柔性电子器件，其中，所述聚酰亚胺膜为权利要求8所述的聚酰亚胺膜。

11.一种制造方法，其为权利要求9或10所述的柔性电子器件的制造方法，其特征在于，

具有下述工序：将聚酰亚胺前体溶液或聚酰亚胺前体溶液组合物涂布到载体基板上，进行酰亚胺化，形成具有所述载体基板和聚酰亚胺膜的层积体。