[发明专利]表面被覆切削工具及其制造方法

权利要求书

1.一种表面被覆切削工具，包括基材和设置在所述基材的表面上的覆膜，其中

所述覆膜包括设置在所述基材上的第一交替层和设置在所述第一交替层上的第二交替层，

所述第一交替层包括A层和B层，

所述第二交替层包括C层和D层，

一个或多个所述A层和一个或多个所述B层交替层叠，

一个或多个所述C层和一个或多个所述D层交替层叠，

一个或多个所述A层各自由Al_aCr_bM1_(1-a-b)的氮化物或碳氮化物构成，并且所述A层中金属原子各自的原子比满足0.5≤a≤0.9，0＜b≤0.4和0≤(1-a-b)≤0.1，

一个或多个所述B层各自由Al_cTi_dM2_(1-c-d)的氮化物或碳氮化物构成，并且所述B层中金属原子各自的原子比满足0.3≤c≤0.7、0.3≤d≤0.7和0≤(1-c-d)≤0.1，

一个或多个所述C层各自由Ti_eSi_fM3_(1-e-f)的氮化物或碳氮化物构成，并且所述C层中金属原子各自的原子比满足0.75≤e≤0.99、0.01≤f≤0.2和0≤(1-e-f)≤0.1，

一个或多个所述D层各自由Ti_gSi_hM4_(1-g-h)的氮化物或碳氮化物构成，并且所述D层中金属原子各自的原子比满足0.8≤g≤0.99、0.01≤h≤0.2和0≤(1-g-h)≤0.1，

所述C层中Ti的原子比e和所述D层中Ti的原子比g满足0.05≤|g-e|≤0.2，

所述C层中Si的原子比f和所述D层中Si的原子比h满足0.05≤|h-f|≤0.2，

所述M1和所述M2各自独立地为选自由Si和B组成的组中的一种以上的元素，并且

所述M3和所述M4各自独立地为选自由Ta和B组成的组中的一种以上的元素，

所述第一交替层中的所述A层的厚度λa为0.005μm以上2μm以下，

所述第一交替层中的所述B层的厚度λb为0.002μm以上2μm以下，并且

所述第一交替层中的所述A层的厚度与所述第一交替层中的所述B层的厚度的比率λa/λb满足1≤λa/λb≤5，

所述第二交替层中的所述C层的厚度λc为0.005μm以上2μm以下，

所述第二交替层中的所述D层的厚度λd为0.001μm以上2μm以下，并且

所述第二交替层中的所述C层的厚度与所述第二交替层中的所述D层的厚度的比率λc/λd满足1≤λc/λd≤5，

所述覆膜的整体厚度为0.5μm以上15μm以下。

2.根据权利要求1所述的表面被覆切削工具，其中

所述覆膜还包括位于所述第一交替层和所述第二交替层之间的中间层，并且

所述中间层为所述A层和所述C层的交替层、所述A层和所述D层的交替层、所述B层和所述C层的交替层或所述B层和所述D层的交替层。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的表面被覆切削工具，其中所述第一交替层的最上层为所述B层。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的表面被覆切削工具，其中所述第一交替层的最下层为所述A层或所述B层。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的表面被覆切削工具，其中

所述覆膜还包括位于所述基材和所述第一交替层之间的密着层，

所述密着层的厚度为0.5nm以上20nm以下，并且

所述密着层包含含有一种以上的第一元素、一种以上的第二元素和一种以上的第三元素的碳化物、氮化物或碳氮化物，所述一种以上的第一元素选自由Cr、Ti、Zr和Nb组成的组，所述一种以上的第二元素选自所述基材的元素，所述一种以上的第三元素选自所述第一交替层或所述第二交替层的元素。

6.根据权利要求5所述的表面被覆切削工具，其中所述一种以上的第二元素至少包括W。