[发明专利]集成电路中的薄膜电阻器及制造方法在审
| 申请号： | 201980031505.5 | 申请日： | 2019-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN112119511A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | Y·冷;B·哈姆林;A·泰勒;J·范德丽特;J·萨托 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 薄膜 电阻器 制造 方法 | ||
1.一种用于在集成电路(IC)结构中制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法，所述方法包括：
在衬底上形成TFR元件；
使所述TFR元件退火以减小所述TFR元件的电阻温度系数(TCR)；以及
在形成所述TFR元件并将其退火之后，形成与所述TFR元件的相对侧接触的一对导电TFR头。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR元件包括SiCr或SiCCr。
3.根据权利要求1所述的方法，包括使所述TFR元件退火直到获得TCR为0±700ppm/℃的所述TFR材料的TCR。
4.根据权利要求1所述的方法，包括使所述TFR元件退火直到获得TCR为0±300ppm/℃的所述TFR材料的TCR。
5.根据权利要求1所述的方法，包括使所述TFR元件退火直到获得TCR为0±100ppm/℃的所述TFR材料的TCR。
6.根据权利要求1所述的方法，包括使所述TFR元件退火直到获得TCR为40±20ppm/℃的所述TFR材料的TCR。
7.根据权利要求1所述的方法，包括在450℃至550℃的范围内的温度下对所述结构进行退火。
8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述一对导电TFR头包括形成金属1层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR元件包括从所述TFR元件的横向延伸区域向上延伸的至少一个TFR脊；并且所述方法还包括执行脊去除工艺以去除所述至少一个TFR脊。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述脊去除工艺包括湿蚀刻以至少部分地去除所述至少一个TFR脊。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述脊去除工艺包括湿蚀刻以完全去除所述至少一个TFR脊。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述湿蚀刻包括混合酸蚀刻。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中形成所述一对导电TFR头包括使用双镶嵌工艺形成一对导电结构。
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述一对导电TFR头包括使用双镶嵌工艺形成一对导电结构。
15.一种薄膜电阻器(TFR)结构，包括：
TFR元件，所述TFR元件形成在衬底上，其中将所述TFR元件退火以提供选择的电阻温度系数(TCR)；和
一对导电TFR头，所述一对导电TFR头形成在所述TFR元件的相对侧上并与之接触。
16.根据权利要求15所述的TFR结构，其中所述TFR元件包括SiCr或SiCCr。
17.根据权利要求15所述的TFR结构，其中所述TFR元件具有0±700ppm/℃的TCR。
18.根据权利要求15所述的TFR结构，其中所述TFR元件具有0±300ppm/℃的TCR。
19.根据权利要求15所述的TFR结构，其中所述TFR元件具有0±100ppm/℃的TCR。
20.根据权利要求15所述的TFR结构，其中所述TFR元件具有40±20ppm/℃的TCR。
21.根据权利要求15所述的TFR结构，其中所述一对导电TFR头形成在金属1层中。
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