[发明专利]磁传感器装置

说明书

磁传感器装置(1)具有：切换区域(3)，其由切换范围(L)和波动范围(H)规定，上述切换范围(L)设定于生成放射状的磁场(50)的磁铁(5)的行程方向，且由状态的切换开始位置(31)和结束位置(32)规定，上述波动范围(H)设定于与行程方向交叉的方向，且是磁铁(5)的位置的波动的范围；和磁传感器(2)，其以使磁阻值的变化相对于切换区域(3)内的磁铁(5)的磁场(50)从开始位置(31)到结束位置(32)变大的方式使将圆形磁阻元件(80)分割而得的多个分割元件(21)连续地旋转而再配置于切换区域(3)的周围。

相关申请的交叉引用

本申请主张2018年5月18日申请的日本特许出愿2018-095927号的优先权，且将日本特许出愿2018-095927号的全部内容在本申请中通过参照来引用。

技术领域

本发明涉及磁传感器装置。

背景技术

公知有如下这种非接触开关，其具备配置于壳体的规定位置并通过外部的压力而动作，且在一端部形成有磁性体的按钮、和收纳于壳体并与磁性体相对，根据与磁性体的间隔来产生感应电压的磁场传感器元件(例如，参照专利文献1。)。

该非接触开关与现有的开关采用接触式构造不同，使用磁场传感器元件等实现非接触式构造，由此与现有的开关相比能够在提高耐久性的同时除去在开关的动作时可能产生的噪音。作为该磁场传感器元件，使用磁阻元件等。

专利文献1：日本特表2015-507871号公报

作为这样的磁场传感器元件，公知有具有圆形的磁阻元件的MR(磁阻式)传感器。对于该MR传感器而言，若生成放射状的磁场的磁铁位于中心，则磁场与磁阻元件的角度为直角，因此与磁铁在外的情况相比磁阻值变小，能够检测接通和断开等状态的切换。但是该MR传感器在考虑磁铁的位置的波动的情况下，为了确保状态的切换的精度，需要扩大圆形的磁阻元件的尺寸。

发明内容

本发明的目的在于提供能够具备针对干扰磁场的抗性并且实现小型化的磁传感器装置。

本发明的一实施方式的磁传感器装置具有：切换区域，其由切换范围和波动范围规定，上述切换范围设定于生成放射状的磁场的磁铁的行程方向，其由状态的切换开始位置和结束位置规定，上述波动范围设定于与行程方向交叉的方向，且是磁铁的位置的波动的范围；和磁传感器，其以使磁阻值的变化相对于切换区域内的磁铁的磁场从开始位置到结束位置变大的方式使将第一圆形磁阻元件分割而得的多个第一分割元件连续地旋转而再配置于切换区域的周围。

根据本发明的一实施方式，能够提供具备针对干扰磁场的抗性并且能够实现小型化的磁传感器装置。

附图说明

图1A是表示第一实施方式所涉及的磁传感器装置的说明图。

图1B是表示再配置前的磁传感器的说明图。

图1C是第一实施方式所涉及的磁传感器装置的等效电路图。

图2A是用于对第一实施方式所涉及的磁传感器装置的圆形磁阻元件的再配置进行说明的说明图。

图2B是用于对第一实施方式所涉及的磁传感器装置的圆形磁阻元件的再配置进行说明的说明图。

图3A是用于对第一实施方式所涉及的磁传感器装置的圆形磁阻元件的再配置中的切线与垂线的关系进行说明的说明图。

图3B是表示第一实施方式所涉及的磁传感器装置的分割元件的旋转的说明图。

图4A是表示第一实施方式所涉及的磁传感器装置的再配置前的中心的图表。

图4B是表示第一实施方式所涉及的磁传感器装置的再配置后的中心的图表。