[发明专利]用于使用磁场检测的装置的延伸构件

权利要求书

1.一种用于传递磁场的延伸构件，所述延伸构件包括：

适于耦接到磁体的第一端；

适于耦接到霍尔效应传感器的第二端；以及

在所述第一端和所述第二端之间延伸的细长体，所述细长体由能够将所述磁体的磁场从所述第一端传递到所述第二端的材料形成。

2.根据权利要求1所述的延伸构件，其中，所述第二端在x方向和y方向上都远离所述第一端定位。

3.根据权利要求2所述的延伸构件，其中，所述第一端和所述第二端面向相同的方向。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的延伸构件，其中，所述第二端在x，y和z方向上远离所述第一端定位。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的延伸构件，其中，所述延伸构件具有低剩磁。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的延伸构件，其中，所述延伸构件由软铁材料制成。

7.一种装置，包括：

磁体；

霍尔效应传感器；以及

延伸构件，具有适于耦接到所述磁体的第一端，适于耦接到所述霍尔效应传感器的第二端，以及在所述第一端与所述第二端之间延伸的细长体，所述细长体由能够将所述磁体的磁场从所述第一端传递到所述第二端的材料形成。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述延伸构件被配置成使得所述磁体和所述延伸构件之间的距离能够改变。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，当所述磁体与所述延伸构件之间的距离在第一预定阈值距离内时，所述传感器能够检测所述磁体的磁场。

10.根据权利要求8或9所述的装置，其中，当所述磁体与所述延伸构件之间的距离大于第二预定阈值距离时，所述传感器不能检测所述磁体的磁场。

11.根据权利要求7至10中的任一项所述的装置，其中，所述延伸构件被配置成使得能够改变所述延伸构件与所述传感器之间的距离。

12.根据权利要求7至11中的任一项所述的装置，其中，所述磁体是永磁体或电磁体中的一种。

13.一种壳体，包括：

第一盖；

第二盖，所述第二盖能够附接到所述第一盖或与所述第一盖分离；

安装在所述第一盖中的磁体；

安装在所述第二盖中的霍尔效应传感器；以及

安装在所述第二盖中的延伸构件，所述延伸构件具有适于耦接到所述磁体的第一端，适于耦接到所述霍尔效应传感器的第二端以及在所述第一端与所述第二端之间延伸的细长体，所述细长体由能够将所述磁体的磁场从所述第一端传递到所述第二端的材料形成。

14.根据权利要求13所述的壳体，其中，当所述磁体进入所述延伸构件的第一预定阈值距离之内时，所述传感器能够检测所述磁体的磁场。

15.根据权利要求13或权利要求14所述的壳体，其中，当所述磁体移动超过所述延伸构件的第二预定阈值距离时，所述传感器能够检测所述磁体的磁场。

16.根据权利要求13至15中的任一项所述的壳体，还包括：

连接到传感器的至少一个电气部件，所述电气部件被配置为取决于所述传感器的输出而接通或关断。

17.根据权利要求16所述的壳体，其中，当所述传感器的输出高于第一预定阈值时，所述电气部件接通。

18.根据权利要求16或权利要求17所述的壳体，其中，当所述传感器的输出低于第二预定阈值时，所述电气部件关断。