[实用新型]一种结构简单的振荡器有效
| 申请号: | 201922497540.6 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN210807188U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
| 发明(设计)人: | 韩旭善;陈长兴 | 申请(专利权)人: | 广州裕芯电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
| 代理公司: | 广州睿金泽专利代理事务所(普通合伙) 44430 | 代理人: | 胡婧娴 |
| 地址: | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 结构 简单 振荡器 | ||
1.一种结构简单的振荡器,其特征在于,包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC;
第一电阻R1的一端接电源电压VDD,另一端接第一NMOS管N1的漏级,第一NMOS管N1的栅级接第二NMOS管N2的栅级、施密特触发器SMT的输出端、以及反相器INV1的输入端,第一NMOS管N1的源极接第二NMOS管N2漏/源极、以及第一电容C1的一端,第一电容C1的另一端接地,第二电容C2的一端接电源电压,另一端接第二NMOS管N2的源/漏极、第三NMOS管N3的漏/源极、以及所述施密特触发器SMT的输入端;反相器INV1的输出端接第三NMOS管N3的栅级,第三NMOS管N3的源/漏极接第二电阻R2的一端,第二电阻R2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述一种结构简单的振荡器,其特征在于,还包括第四NMOS管N4;反相器INV1的输出端接第四NMOS管N4的栅级,第四NMOS管N4的源极接地、以及第一电容C1的一端,第一电容C1的另一端接第四NMOS管N4的漏极。
3.根据权利要求1或2所述一种结构简单的振荡器,其特征在于,通过改变第一电容C1、第二电容C2来调整所述振荡器的频率及占空比。
4.根据权利要求1或2所述一种结构简单的振荡器,其特征在于,所述振荡器设置在芯片中。
5.根据权利要求2所述一种结构简单的振荡器,其特征在于,所述NMOS管N1-N4可替换为NPN管。
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