[实用新型]供电电路及供电装置

权利要求书

1.一种供电电路，其特征在于，包括：

控制电路，包括场效应晶体管，所述场效应晶体管的第一端与外部电源连接；

稳压模块，所述稳压模块的输入端与所述场效应晶体管的第二端连接；

所述控制电路用于在接收到开启信号时控制所述场效应晶体管导通以使所述外部电源为所述稳压模块供电；在接收到关闭信号时控制所述场效应晶体管截止以停止为所述稳压模块供电。

2.如权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述控制电路包括三极管以及第一电阻；

所述三极管的基极用于接收高电平或低电平，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极与所述场效应晶体管的栅极连接，所述三极管的集电极还通过所述第一电阻与所述场效应晶体管的源极连接，所述场效应晶体管的源极与外部电源连接，所述场效应晶体管的漏极与所述稳压模块的输入端连接。

3.如权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述控制电路还包括第二电阻、第三电阻和第一电容；所述三极管的基极通过所述第二电阻接收高电平或低电平，所述三极管的基极通过所述第三电阻与所述三极管的发射极连接，所述三极管的发射极还通过所述第一电容与所述三极管的集电极连接。

4.如权利要求3所述的供电电路，其特征在于，所述控制电路还包括第二电容，所述场效应晶体管的源极通过所述第二电容与所述场效应晶体管的栅极连接。

5.如权利要求4所述的供电电路，其特征在于，所述控制电路还包括第四电阻，所述第四电阻的第一端与所述三极管的集电极连接，所述第四电阻的第二端分别通过所述第二电容和所述第一电阻与所述场效应晶体管的源极连接。

6.如权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述三极管为NPN型三极管，所述场效应晶体管为P沟道MOS管。

7.如权利要求1～6中任一项所述的供电电路，其特征在于，所述稳压模块包括稳压芯片、第三电容和第四电容；

所述稳压芯片的输入端与所述场效应晶体管的第二端连接，所述稳压芯片的输出端与电子设备连接，所述稳压芯片用于为电子设备供电；

所述稳压芯片的输入端通过所述第三电容接地，所述稳压芯片的输出端通过所述第四电容接地。

8.如权利要求7所述的供电电路，其特征在于，所述稳压模块还包括与所述第三电容并联且电容值与所述第三电容不同的第五电容以及与所述第四电容并联且电容值与所述第四电容不同的第六电容。

9.如权利要求7所述的供电电路，其特征在于，所述稳压芯片为ME6210A33PG型。

10.一种供电装置，其特征在于，所述供电装置包括与外部电源连接的供电电路，所述供电电路被配置为如权利要求1～9任一项所述的供电电路。