[实用新型]一种薄膜容性弱耦合滤波器有效
申请号: | 201922479344.6 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN211182463U | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 宫亮;廖明 | 申请(专利权)人: | 苏州富电通讯有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人: | 胡昌国 |
地址: | 215000 江苏省苏州市相城经济*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 容性弱 耦合 滤波器 | ||
本实用新型提出的一种薄膜容性弱耦合滤波器,包括相互拼合的左本体和右本体,在所述左本体和右本体相互贴合的内侧面上对应开设有耦合凹槽,本实用新型通过在两个薄膜单体的内侧面上开设耦合凹槽,并将两个单体拼合能够实现体积更小、高抑制且远端抑制优于70db的窄带宽滤波器。
技术领域
本实用新型涉及滤波器领域,尤其是涉及一种薄膜容性弱耦合滤波器。
背景技术
随着通信行业的不断发展,对滤波器体积要求越来越小,对杂波信号的抑制要求越来越高;传统地,介质滤波器的容性耦合结构包括介质体,其中介质体设有介质腔,介质腔的底壁上贯穿设置有通孔,并在通孔的孔壁、介质腔的底壁、或介质腔的表面上的金属层设置有封闭式环形缺口,以实现容性耦合的目的。然而,对于窄频段的介质滤波器,当需要减小容性耦合的带宽时,则相应减小通孔的深度H1大小,在通孔的深度H1大小减小到0.1mm时,将导致不便于在介质体上制造形成通孔及封闭式环形缺口,生产难度较大,生产效率较低。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型提出了一种薄膜容性弱耦合滤波器。
本实用新型的主要内容包括:
一种薄膜容性弱耦合滤波器,包括左本体和右本体,所述左本体和所述右本体为长方体结构,所述左本体的前端面和所述右本体的前端面中心开设有调谐通孔,所述左本体和所述右本体相互面对的内侧面上开设有耦合凹槽;所述左本体和所述右本体的上侧面靠近其对应后端面和外侧面的一侧分别设置有输入输出端子;所述左本体和所述右本体的前端面均为开路面,所述左本体和所述右本体的外侧面、内侧面以及上侧面、下侧面和后端面、所述调谐通孔的内壁均涂覆有导电膜;所述耦合凹槽的槽底以及槽壁无导电膜。
优选的,所述左本体和所述右本体的上侧面靠近其对应后端面和外侧面的一侧开设有第一间隔凹槽,所述第一间隔凹槽内无导电膜,所述第一间隔凹槽将所述上侧面分隔出第一收发区域,所述第一收发区域构成所述输入输出端子。
优选的,所述左本体和所述右本体的外侧面靠近其对应后端面和上侧面的一侧开设有第二间隔凹槽,所述第二间隔凹槽内无导电膜,所述第二间隔凹槽将所述外侧面分隔出第二收发区域;所述第二收发区域与所述第一收发区域电连接,所述第一收发区域和所述第二收发区域构成所述输入输出端子。
优选的,所述第一间隔凹槽和所述第二间隔凹槽呈L型。
优选的,所述导电膜为金属材质。
优选的,所述金属材质为银或者铜。
优选的,所述左本体和所述右本体的材质为陶瓷。
优选的,所述左本体和所述右本体通过焊接方式拼合。
本实用新型的有益效果在于:本实用新型提出的一种薄膜容性弱耦合滤波器,通过在两个薄膜单体的内侧面上开设耦合凹槽,并将两个单体拼合能够实现体积更小、高抑制且远端抑制优于70db的窄带宽滤波器。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为左本体和右本体一个角度的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型所保护的技术方案做具体说明。
请参照图1至图2。本实用新型提出了一种薄膜容性弱耦合滤波器,包括左本体10和右本体20,所述左本体10和所述右本体20为长方体结构,所述左本体10的前端面11和所述右本体20的前端面中心开设有调谐通孔100,所述左本体10和所述右本体20相互面对的内侧面14上开设有耦合凹槽30,当所述左本体10和所述右本体20拼合后,两个所述耦合凹槽30相互围成一空腔空间,能够实现弱耦合;耦合凹槽30的长宽以及深度根据需求来选择,且所述耦合凹槽30的加工简单,在保证实现弱耦合的前提下,降低了加工的难度。
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