[实用新型]直击雷防护装置

权利要求书

1.一种直击雷防护装置，其特征在于，包括：高能均压散流护罩、电流传导定位轴、高能双指数函数电荷装载仓和柱状半圆电场的高电场聚焦接闪定位端头；

所述高能均压散流护罩设置在装置的上部，所述高能均压散流护罩的下部通过螺旋与所述电流传导定位轴旋转连接，所述电流传导定位轴与所述高能双指数函数电荷装载仓内部的半导体电气连接，所述柱状半圆电场的高电场聚焦接闪定位端头安装在所述高能均压散流护罩的最高曲面中心点处。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，高能均压散流护罩是空心状态，壁厚在0.8-3.5mm范围，顶部曲率半径R≤120mm且表面积≤530cm²；或顶部曲率半径R≥270mm且表面积≥750cm²。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述高能均压散流护罩和所述装置的全部外露金属部分均采用具备抗盐雾316不锈钢材料。

4.根据权利要求1、2或者3所述的装置，其特征在于，在所述高能双指数函数电荷装载仓的外部设置绝缘套筒，该绝缘套筒的外部包裹高绝缘硅橡胶材料的防雨塔群，塔裙面斜度范围≥36°；

在所述高能双指数函数电荷装载仓的内部设置电荷装载仓容性陶瓷半导体装置和电荷装载仓固定片，通过电荷装载仓固定片接收接闪电流，所述电荷装载仓容性陶瓷半导体装置由多个形状相同的几何片状体的陶瓷半导体结构串联组成，电荷装载仓固定片还给几何片状体的陶瓷半导体结构实现局部散热。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述几何片状体的陶瓷半导体结构的串联过渡体为铝箔或锡箔，每个几何片状体的陶瓷半导体结构串联的垂直面附着电荷装载仓电极。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述几何片状体的陶瓷半导体结构未高温烧结前的成型后毛坯体密度为：2.5-4.0g/cm³，毛坯体高温烧结后外观呈黑色状陶瓷片，直流导通电压1.01mA下，毫米电压为：100-450V/mm范围，毛坯体烧结后经过工艺处理得到的几何片状体的陶瓷半导体结构的密度范围为：3-4.8g/cm³。

7.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，在装置底部的法兰上设置下电极板，在下电极板上设置高电场均压环，在高压电场均压环上设置高电场桡侧闪保护端头。

8.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，在所述高能双指数函数电荷装载仓的内部灌封散热绝缘填充物。