[实用新型]缓冲抛光垫有效
申请号: | 201922297952.5 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN211249558U | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 江梦华;郑建军;岳伟;陶方查;马建彪;苗聪 | 申请(专利权)人: | 芜湖长信科技股份有限公司 |
主分类号: | B24B29/00 | 分类号: | B24B29/00;B24B41/04 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 张永生 |
地址: | 241009 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缓冲 抛光 | ||
本实用新型公开了一种缓冲抛光垫,包括抛光层和背胶层,还包括中间胶层和缓冲层,所述中间胶层和缓冲层均位于抛光层和背胶层之间,所述缓冲层设在中间胶层和背胶层之间,中间胶层设在缓冲层和抛光层之间。该缓冲抛光垫结构设计合理,结合现有硬质和软质抛光垫的优点,在保证抛光去除率的同时提升了抛光过程中的均匀性;通过缓冲的弹性弥补抛光垫形貌变化对抛光效果的影响,提升不同设备抛光效果的一致性;通过缓冲层的弹性弥补抛光垫形貌变化对抛光效果的影响,因此不需要使用金刚石修整,抛光垫使用寿命大大提升;减少了人力维护,提升生产效率。
技术领域
本实用新型涉及面板薄化技术领域,尤其是涉及一种缓冲抛光垫。
背景技术
化学机械抛光技术(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是薄化行业蚀刻后去除基板表面不良的一种手段,这种工艺就是为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面而专门设计的。
化学机械抛光技术属于化学作用和机械作用相结合的技术,其过程相当复杂,且影响抛光效果的因素很多。首先,基板抛光面与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应,生成一层相对容易去除的软质层,然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层,使工件表面重新裸露出来,然后再进行化学反应,这样在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光。
作为化学机械抛光技术关键部件之一,抛光垫具有以下功能:能贮存抛光液,并把它运送到基板的整个加工区域,使抛光均匀;从基板抛光表面去除抛光过程产生的残留物质(如抛光碎屑、抛光垫碎片等);传递材料去除所需的机械载荷;维持抛光过程所需的机械和化学环境。抛光垫性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构和状态等决定。抛光垫的选择对与控制CMP抛光效果有着至关重要的作用。
目前面板薄化行业蚀刻后抛光通常采用邵氏硬度在30-90A之间的聚氨酯材质抛光垫进行薄化后基板的抛光。如图2所示,现有的抛光垫多是两层结构,分别是背胶层b和抛光层a。现有抛光垫抛光存在以下不足:1)硬度在邵氏50-90A时,抛光垫表面平坦度发生变化超出管控范围后修整难度大,生产时需要耗费大量的人力进行修整,且很难保证其一致性、抛光均匀性差;2)硬度在邵氏30-50A时,由于抛光垫与基板接触易发生局部形变,蚀刻过程中产生的凸点、蚀刻不均等凸起不良无法去除;3)由于使用过程中需要频繁修整,修整对抛光垫本身损耗很大,所以现有抛光垫使用寿命不高。
实用新型内容
针对现有技术不足,本实用新型所要解决的技术问题是提供一种缓冲抛光垫,以达到抛光均匀,使用寿命长的目的。
为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案为:
该缓冲抛光垫,包括抛光层和背胶层,还包括中间胶层和缓冲层,所述中间胶层和缓冲层均位于抛光层和背胶层之间,所述缓冲层设在中间胶层和背胶层之间,中间胶层设在缓冲层和抛光层之间。
进一步的,所述缓冲层为海绵层。
所述抛光层的外表面上设有一组沟槽。
所述缓冲层的厚度大于胶层以及背胶层的厚度。
所述抛光层为聚氨酯层。
所述抛光层的厚度大于胶层以及背胶层的厚度。
本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:
该缓冲抛光垫结构设计合理,结合现有硬质和软质抛光垫的优点,在保证抛光去除率的同时提升了抛光过程中的均匀性;通过缓冲的弹性弥补抛光垫形貌变化对抛光效果的影响,提升不同设备抛光效果的一致性;通过缓冲层的弹性弥补抛光垫形貌变化对抛光效果的影响,因此不需要使用金刚石修整,抛光垫使用寿命大大提升;减少了人力维护,提升生产效率。
附图说明
下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明:
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