[实用新型]一种同步整流主动吸收电路有效

专利信息
申请号: 201922152133.1 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN210898930U 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 何远健;庞继浩;叶修雷;贾红叶 申请(专利权)人: 安徽省东科半导体有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) 51251 代理人: 成实;饶振浪
地址: 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 同步 整流 主动 吸收 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种同步整流主动吸收电路,包括变压器T1,高速三极管Q1,串接在高速三极管Q1的E端和B端之间的电阻R2,P极与高速三极管Q1的E端相连接、N极经电容C2后与高速三极管Q1的C端相连接的二极管D1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与高速三极管Q1的B端相连接的电阻R3,与电容C2并联设置的电阻R4,一端与高速三极管Q1的E端相连接、另一端经电容C1后与二极管D1的N极相连接的电阻R1,以及正极与二极管D1的N极相连接、负极接地的极性电容CE1。本实用新型提供一种同步整流主动吸收电路,在不增加电路损耗以及成本的情况下,能够显著的降低同步整流在输出异常的情况下同步MOS端DS尖峰电压,从而增加电路在同步整流工作时的可靠性。

技术领域

本实用新型属于电子电路领域,具体是指一种同步整流主动吸收电路。

背景技术

随着同步整流模块电路的兴起,各家的同步整流模块都有相比较肖特基电路,在短路、满载开机或过载情况下,同步整流MOS端的DS波形都会比肖特基高一些,在使用同步整流模块时若没有调试好,很容易导致同步MOS因为过压状态而被击穿,而且有些同步整流模块无论如何调试,其DS电压仍然很高,极大的影响了整体电路的正常工作。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述问题,提供一种同步整流主动吸收电路,在不增加电路损耗以及成本的情况下,能够显著的降低同步整流在输出异常的情况下同步MOS端DS尖峰电压,从而增加电路在同步整流工作时的可靠性。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现:

一种同步整流主动吸收电路,包括变压器T1,高速三极管Q1,串接在高速三极管Q1的E端和B端之间的电阻R2,P极与高速三极管Q1的E端相连接、N极经电容C2后与高速三极管Q1的C端相连接的二极管D1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与高速三极管Q1的B端相连接的电阻R3,与电容C2并联设置的电阻R4,一端与高速三极管Q1的E端相连接、另一端经电容C1后与二极管D1的N极相连接的电阻R1,以及正极与二极管D1的N极相连接、负极接地的极性电容CE1。

进一步的,所述变压器T1的1端和5端组成该电路的电源输入端,变压器T1的10端与高速三极管Q1的E极相连接,变压器T1的6端与极性电容CE1的负极相连接,二极管D1的N极为该电路的电源输出端。

作为优选,所述电阻R1的阻值为10Ω,电阻R2的阻值为1KΩ,电阻R3为120KΩ,电阻R4的阻值为20KΩ。

作为优选,所述电容C1的容值为102pf,电容C2的容值为104pf。

作为优选,所述极性电容的容值为1000μF,电压为16V。

作为优选,所述变压器T1的型号为EE25。

本实用新型与现有技术相比,具有以下优点及有益效果:

本实用新型的结构简单,在不增加电路损耗以及成本的情况下,能够显著的降低同步整流在输出异常的情况下同步MOS端DS尖峰电压,从而增加电路在同步整流工作时的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型的电路结构图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明,但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例

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