[实用新型]误差放大器、电路和电压调节器有效

专利信息
申请号: 201922146701.7 申请日: 2019-12-04
公开(公告)号: CN212183486U 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: A·古普塔;N·古普塔;P·古普塔 申请(专利权)人: 意法半导体国际有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F1/34;H03F3/45
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李兴斌
地址: 荷兰斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 误差 放大器 电路 电压 调节器
【权利要求书】:

1.一种误差放大器,其特征在于,包括:

输入晶体管差分对,接收第一电压和第二电压;

第一对晶体管,在输出节点和偏置节点处耦合至所述输入晶体管差分对,所述第一对晶体管被配置为在饱和区域中操作;

第二对晶体管,在中间节点对处耦合到所述第一对晶体管并被配置为在线性区域中操作;以及

补偿电容器,耦合到所述中间节点对中的一个,以补偿所述误差放大器在所述输出节点处的寄生电容;

其中所述误差放大器在所述输出节点处的输出是所述第二电压和所述第一电压之间的差的函数。

2.根据权利要求1所述的误差放大器,其特征在于,所述第二对晶体管的栅极直接电连接至所述第一对晶体管的栅极,并且还连接至所述第二对晶体管中的一个。

3.根据权利要求1所述的误差放大器,其特征在于,所述输入晶体管差分对是n沟道晶体管;其中所述第一对晶体管是p沟道晶体管;并且其中所述第二对晶体管是源极耦合到电源电压且漏极耦合到所述中间节点对的p沟道晶体管。

4.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,所述寄生电容在所述输出节点与所述电源电压之间;并且其中所述补偿电容器耦合在所述中间节点对中的一个和所述电源电压之间。

5.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,所述寄生电容在所述输出节点与所述电源电压之间;并且其中所述补偿电容器包括:

第一补偿电容器,耦合在所述中间节点对中的第一节点与所述电源电压之间;以及

第二补偿电容器,耦合在所述中间节点对中的第二节点与所述电源电压之间。

6.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,所述寄生电容在所述输出节点与所述电源电压之间;并且其中所述补偿电容器耦合在所述中间节点对之间。

7.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,所述第二对晶体管具有不同的尺寸,并且所述第一对晶体管具有相同的尺寸。

8.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,所述第二对晶体管具有相同的第一尺寸,并且所述第一对晶体管具有相同的第二尺寸,所述第一尺寸大于所述第二尺寸。

9.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,所述第二对晶体管中的一个具有第一尺寸,所述第二对晶体管中的另一个具有与所述第一尺寸不同的第二尺寸,并且所述第一对晶体管具有相同的第三尺寸,所述第一尺寸和所述第二尺寸大于所述第三尺寸。

10.一种电路,其特征在于,包括:

尾电流源;

差分对,包括:

第一NMOS晶体管,具有直接电连接到所述尾电流源的源极、直接电连接到偏置节点的漏极以及由第一电压偏置的栅极;以及

第二NMOS晶体管,具有直接电连接到所述尾电流源的源极、直接电连接到输出节点的漏极以及由第二电压偏置的栅极;

负载电路,包括:

第一PMOS晶体管,具有直接电连接至所述偏置节点的漏极、源极以及直接电连接至所述偏置节点的栅极;

第二PMOS晶体管,具有直接电连接到所述输出节点的漏极、直接电连接到中间节点的源极以及直接电连接到所述偏置节点的栅极;

第三PMOS晶体管,具有直接电连接到所述第一PMOS晶体管的源极的漏极、直接电连接到电源节点的源极以及直接电连接到所述偏置节点的栅极;以及

第四PMOS晶体管,具有直接电连接到所述中间节点的漏极、直接电连接到所述电源节点的源极以及直接电连接到所述偏置节点的栅极;以及

补偿电容器,直接电连接到所述中间节点。

11.根据权利要求10所述的电路,其特征在于,所述补偿电容器直接电连接在所述中间节点与所述电源节点之间。

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