[实用新型]一种高变比双向半桥倍流变换器

权利要求书

1.一种高变比双向半桥倍流变换器，其特征在于：其结构包括上盖(1)、底座(2)、接口(3)，所述上盖(1)安装在底座(2)上方，所述接口(3)嵌设于上盖(1)与底座(2)同一侧；

所述上盖(1)设有散热板(a)、散热孔(a1)、支撑柱(a2)、卡块(a3)，所述散热板(a)通过焊接连接于上盖(1)内部，所述散热孔(a1)嵌设于散热板(a)内，所述支撑柱(a2)嵌固于上盖(1)内部，所述卡块(a3)通过焊接连接于上盖(1)两壁内部。

2.根据权利要求1所述的一种高变比双向半桥倍流变换器，其特征在于：所述底座(2)包括底板(b)、支撑杆(b1)、支撑槽(b2)、卡槽(b3)，所述底板(b)通过焊接连接于底座(2)内部，所述支撑杆(b1)嵌固于底板(b)表面，所述支撑槽(b2)嵌设于支撑杆(b1)内部，所述卡槽(b3)嵌设于底座(2)两壁内部。

3.根据权利要求1所述的一种高变比双向半桥倍流变换器，其特征在于：所述支撑柱(a2)上安装有控制板(c)，所述控制板(c)设有连接块(c1)、定位块(c2)、固定板(c3)，所述连接块(c1)通过焊接连接于控制板(c)两侧，所述定位块(c2)嵌固于连接块(c1)上方，所述固定板(c3)通过螺栓连接于连接块(c1)底部。