[实用新型]一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器有效
| 申请号： | 201921949069.3 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN211123332U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 胡丹;张进峰;刘丹 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 宽带 可调 赫兹 吸波器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：以金属作为反射基底，结构向上依次为绝缘介质层、石墨烯层，所述的石墨烯层由周期性单层石墨烯方形片结构组成。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述的绝缘介质层为SiO2或其它在太赫兹波段损耗角正切小于0.1的介质材料。
3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述的绝缘介质层的厚度t为16～25微米。
4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述的石墨烯方形片的宽度w为20～30微米。
5.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述的石墨烯方形片结构单元的晶格周期p为30～45微米。
6.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述的石墨烯为单层原子排列结构。
7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述的反射基底由高电导率的金属材料制成，反射基底的厚度为0.1～500微米。
8.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述的反射基底为金、铜、银或铝。
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