[实用新型]便于重新烧录的监控装置有效
申请号: | 201921882369.4 | 申请日: | 2019-11-04 |
公开(公告)号: | CN211264301U | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 樊永涛 | 申请(专利权)人: | 深圳易德信息科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/30 | 分类号: | G06F11/30 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 便于 重新 监控 装置 | ||
1.一种便于重新烧录的监控装置,其特征在于,包括处理器单元、第一通信单元、第二通信单元、交换机单元和存储单元;
所述处理器单元包括核心电路板,所述核心电路板包括处理器芯片;
所述第一通信单元连接所述处理器单元或所述第一通信单元集成在所述处理器单元中,所述第一通信单元连接所述交换机单元;
所述交换机单元用于连接电子设备和网络,所述网络用于连接外部终端;
所述第二通信单元连接所述处理器单元,所述第二通信单元用于连接服务器;
所述存储单元连接所述处理器单元或所述存储单元集成在所述处理器单元中;所述存储单元具有存储器芯片和隔离电路;所述存储器芯片的电源输入引脚连接所述隔离电路,并通过所述隔离电路连接第一供电电源。
2.如权利要求1所述的监控装置,其特征在于,所述隔离电路包括增强型PMOS管、第一偏置电阻、第二偏置电阻、限流电阻和接头;
所述增强型PMOS管的源极连接所述第一供电电源,所述增强型PMOS管的栅极连接第二供电电源,所述增强型PMOS管的栅极和所述第二供电电源之间串联所述接头;
所述第一偏置电阻连接在所述增强型PMOS管的源极和栅极之间;所述第二偏置电阻连接在所述增强型PMOS管的栅极和参考地之间;
所述限流电阻连接在所述接头和所述第二供电电源之间。
3.如权利要求2所述的监控装置,其特征在于,所述存储器芯片的型号为XTSD04GLGEAG,所述存储器芯片的第8引脚连接所述增强型PMOS管的漏极。
4.如权利要求3所述的监控装置,其特征在于,所述隔离电路还包括第一电容和第二电容;所述第一电容的第一端和第二电容的第一端连接所述PMOS管的漏极,所述第一电容的第二端和第二电容的第二端接参考地。
5.如权利要求1所述的监控装置,其特征在于,还包括第一复位单元,所述第一复位单元连接所述处理器单元。
6.如权利要求5所述的监控装置,其特征在于,还包括第二复位单元,所述第二复位单元连接所述处理器单元。
7.如权利要求6所述的监控装置,其特征在于,所述第一复位单元包括第一监测复位芯片,所述第一监测复位芯片为闪存芯片。
8.如权利要求7所述的监控装置,其特征在于,所述第一复位单元包括驱动芯片,所述驱动芯片连接至所述处理器单元。
9.如权利要求8所述的监控装置,其特征在于,所述第二复位单元包括单片机芯片。
10.根据权利要求1所述的监控装置,其特征在于,还包括供电单元,所述供电单元连接所述处理器单元或所述供电单元集成在所述处理器单元中。
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