[实用新型]一种像素补偿电路

说明书

一种像素补偿电路，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、电容C1、C2；所述T1的漏极与T4的源极连接，所述T4的栅极与T2的漏极和T6的漏极连接，T4的栅极还通过C1与T3的源极连接，漏极与有机发光二极管的正极连接；T3的漏极与有机发光二极管的负极连接，T3的源极还通过C2与T4的漏极和T5的漏极连接；其中T2、T6、T3为多晶硅薄膜晶体管，设置于基板与介质层之间，所述T1、T4、T5为氧化物薄膜晶体管，设置于介质层上方。上述技术方案通过使用更小的像素面积达到补偿效果，并且能够最终提高面板的解析度。

技术领域

本实用新型涉及像素补偿电路的设计，尤其涉及一种上下分层的新型AMOLED像素补偿电路设计。

背景技术

当今，随着科技水平的不断提升，人们对显示器画面的要求也在提高，即对高解析度的需求增大，例如VR，AR，MR等显示器的解析度高达2000PPI以上。对于OLED面板来说，面内2T1C Pixel电路会受到Vth漂移的影响导致面板发光亮度不均匀，需要补偿电路提升面板显示效果，而为了达到更好地补偿效果，补偿电路会有多个TFT，可能会有4T，5T，6T…，这样TFT过多会使Pixel所占面积增大，进而导致面板容纳的Pixel数量减少，即解析度变低，无法满足高解析度的要求。

因此，如何提高OLED面板的解析度，制造一种在补偿效果良好基础上具有超高解析度的OLED面板是一项重要的课题。

发明内容

因此，需要提供一种新的分层式的像素补偿电路，达到减小TFT排布面积，提高面板解析度的技术效果。

为实现上述目的，发明人提供了一种像素补偿电路，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、电容C1、C2；所述T1的漏极与T4的源极连接，所述T4的栅极与T2的漏极和T6的漏极连接，T4的栅极还通过C1与T3的源极连接，漏极与有机发光二极管的正极连接；T3的漏极与有机发光二极管的负极连接，T3的源极还通过C2与T4的漏极和T5的漏极连接；

其中T2、T6、T3为多晶硅薄膜晶体管，设置于基板与介质层之间，所述T1、T4、T5为氧化物薄膜晶体管，设置于介质层上方。

具体地，所述电容C1、C2设置于介质层下方。

具体地，包括穿透介质层设置的连接线，T4的栅极与T2之间、T4的漏极与C2之间、有机发光二极管负极与T3的漏极之间分别用连接线连接。

区别于现有技术，上述技术方案通过使用更小的像素面积达到补偿效果，并且能够最终提高面板的解析度。

附图说明

图1为具体实施方式所述的异制程AMOLED像素补偿电路；

图2为具体实施方式所述的同制程AMOLED像素补偿电路；

图3为具体实施方式所述像素补偿电路图；

图4为具体实施方式所述的Reset阶段工作状态示意图；

图5为具体实施方式所述的补偿阶段工作状态示意图；

图6为具体实施方式所述的Data写入阶段工作状态示意图；

图7为具体实施方式所述的发光阶段工作状态示意图；

图8为具体实施方式所述像素补偿电路图；

图9为具体实施方式所述的Reset阶段工作状态示意图；

图10为具体实施方式所述的补偿阶段工作状态示意图；

图11为具体实施方式所述的发光阶段工作状态示意图。

具体实施方式