[实用新型]一种基于温度补偿的基准电流源电路和芯片有效
申请号: | 201921731594.8 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN210270647U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 张斌;唐成伟;张波;田世甦;吴忠洁 | 申请(专利权)人: | 上海灵动微电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 刘秋香 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 温度 补偿 基准 电流 电路 芯片 | ||
本实用新型提供了一种基于温度补偿的基准电流源电路和芯片,包括:温度补偿模块、电流镜像模块、启动模块和输出模块;启动模块用于启动电流镜像模块;温度补偿模块用于调整基准电流的温度系数以提供温度补偿;电流镜像模块用于产生基准电流,并将调整后的基准电流镜像至输出模块;输出模块用于输出基准电流;温度补偿模块包括滑动变阻器和依次连接的两个N型MOS管,温度补偿模块通过调整滑动变阻器的阻值大小和两个N型MOS管的沟道宽长比,使得两个N型MOS管的栅源电压差不为零以调整基准电流的温度系数。本实用新型在同等仿真情况下,具有对温度系数电压更好的补偿效果,降低整体电路的功耗。
技术领域
本实用新型涉及集成电路设计领域,尤指一种基于温度补偿的基准电流源电路和芯片。
背景技术
电流源作为模拟集成电路中必不可少的模块,其值通常通过一电压与一电阻相除得到,这往往具有较大的温度系数,而一些专门作过温度处理的基准电流源电路的结构较复杂,且基准电流源电路的面积较大。
基准电流源电路被广泛应该到各类模拟电路中,然而电流源的值随温度变化而变化,现有的电流温度补偿技术相对比较复杂,有较多的设计变量,而且,现有的基准电流源电路在校准输出电流值时会强烈影响电流的温度系数。
为了使得产生的电流源随温度的变化尽可能小,有必要提供一种结构简单且具有温度补偿的基准电流源电路。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种基于温度补偿的基准电流源电路和芯片,实现在同等仿真情况下,具有对温度系数电压更好的补偿效果,降低整体电路的功耗。
本实用新型提供的技术方案如下:
本实用新型提供一种基于温度补偿的基准电流源电路,包括:
温度补偿模块、电流镜像模块、启动模块和输出模块;
所述启动模块用于启动所述电流镜像模块;
所述温度补偿模块用于调整基准电流的温度系数以提供温度补偿;
所述电流镜像模块用于产生基准电流,并将调整后的基准电流镜像至所述输出模块;
所述输出模块用于输出所述基准电流;
所述温度补偿模块包括滑动变阻器和依次连接的两个N型MOS管,所述温度补偿模块通过调整所述滑动变阻器的阻值大小和所述两个N型MOS管的沟道宽长比,使得所述两个N型MOS管的栅源电压差不为零以调整所述基准电流的温度系数。
进一步的,所述电流镜像模块包括第一P型MOS管和第二P型MOS管,所述输出模块包括第三P型MOS管,且第一P型MOS管,第二P型MOS管,第三P型MOS管的物理尺寸相同;
所述第一P型MOS管、第二P型MOS管和第三P型MOS管的源极接入电源电压,且所述第一P型MOS管、第二P型MOS管和第三P型MOS管共栅极;
所述第一P型MOS管和所述第二P型MOS管的漏极均分别与所述启动模块和所述温度补偿模块连接;
所述第三P型MOS管的漏极输出所述基准电流。
进一步的,所述启动模块包括第一N型MOS管;
所述第一N型MOS管的栅极与所述第一N型MOS管漏极短接;
所述第一N型MOS管的漏极分别与所述第一P型MOS管的栅极和漏极连接;
所述第一N型MOS管的源极与所述第二P型MOS管的漏极连接;
所述第一N型MOS管的漏极和源极分别与所述温度补偿模块连接。
进一步的,所述温度补偿模块包括偏置单元、所述滑动变阻器和依次连接的两个N型MOS管;
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