[实用新型]一种带防反接功能的串并联切换电路

说明书

本实用新型公开了一种带防反接功能的串并联切换电路，包括电容C1两端P+和P‑之间的第一路输入电压，电容C2两端N+和GND之间的第二输入电压；负载R1两端OUT和GND之间的输出电压；电容C2的GND端与负载R1的GND端相连；其特征在于：还包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和开关Q1；所述的二极管D1和二极管D2分别设置在电容C1的P+和电容C2的N+与负载R1的OUT端之间，二极管D1和二极管D2的N极接负载R1的OUT端；二极管D3设置在电容C1的P‑端与负载R1的GND端之间，二极管D3的P极接负载R1的GND端；开关Q1的源、漏极分别与电容C1的P‑和电容C2的N+端相连。本实用新型提供了一种高可靠性的新型的串并联切换电路。并且此电路自带输出端的防反接功能。

技术领域

本实用新型涉及一种带防反接功能的串并联切换电路。

背景技术

输出的两路电压，当串联起来时可得到更高的电压，当并联起来时可得到更大电流。传统的做法是用几个开关用来控制串联，再用其他的几个开关去控制并联。用于控制串并联切换的开关众多，对控制逻辑或者时序提出很高的要求，控制的可靠性较低。并且还不带防反接功能。

实用新型内容

本实用新型针对目前公知的串并联切换电路中，用于控制串并联切换的开关众多，控制逻辑复杂的情况下，通过用半导体二极管代替开关，仅用一个开关就可切换两路输出端的串并联，提供了一种高可靠性的新型的串并联切换电路。并且此电路自带输出端的防反接功能。

本实用新型所采用的技术方案是：一种带防反接功能的串并联切换电路，包括电容C1两端P+和P-之间的第一路输入电压，电容C2两端N+和GND之间的第二路输入电压；负载R1两端OUT和GND之间的输出电压；电容C2的GND端与负载R1的GND端相连；其特征在于：还包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和开关Q1；所述的二极管D1和二极管D2分别设置在电容C1的P+和电容C2的N+与负载R1的OUT端之间，二极管D1和二极管D2的N极接负载R1的OUT端；二极管D3设置在电容C1的P-端与负载R1的GND端之间，二极管D3的P极接负载R1的GND端；开关Q1的源、漏极分别与电容C1的P-和电容C2的N+端相连。

本实用新型提供了一种高可靠性的新型的串并联切换电路。并且此电路自带输出端的防反接功能。

进一步的，上述的带防反接功能的串并联切换电路中：所述的开关Q1为可控半导体包括MOS、IGBT、三极管或者可控硅。

进一步的，上述的带防反接功能的串并联切换电路中：所述的开关Q1为可控开关包括继电器或者接触器。

以下将结合附图和实施例，对本实用新型进行较为详细的说明。

附图说明

图1是本实用新型实施例1原理图。

具体实施方式

实施例1，本实施例是一种新型带防反接功能的串并联切换电路，如图1所示：该电路包括电容C1两端P+和P-之间的第一路输入电压，电容C2两端N+和GND之间的第二路输入电压；负载R1两端OUT和GND之间的输出电压；电容C2的GND端与负载R1的GND端相连；通过控制开关Q1的导通或关闭，实现第一路输入电压和第二输入电压串联、并联切换。

本实施例的串并联切换电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3，以及可控开关Q1。根据实际需要，开关Q1可以是可控半导体如：MOS、IGBT、三极管或者可控硅。也可以是可控开关如继电器或者接触器。

其中，在电容C1的正极P+与负载R1的正极之间设置有半导体二极管D1；在电容C2的正极N+与负载R1的正极之间设置有半导体二极管D2，两个半导体二极管D1和D2的P极分别接电容C1的正极P+和电容C2的正极N+，防止电流流向电容C1的正极P+和电容C2的正极N+。