[实用新型]一种正硅酸乙酯的纯化装置有效
申请号: | 201921526079.6 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN210674475U | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 金向华;李莉;王新喜;孙猛;许军州 | 申请(专利权)人: | 苏州金宏气体股份有限公司 |
主分类号: | B01D36/00 | 分类号: | B01D36/00;B01D3/14;B01D15/10;C07F7/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 胡素莉 |
地址: | 215152 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅酸 纯化 装置 | ||
本实用新型公开了一种正硅酸乙酯的纯化装置,包括原料罐和用以吸附原料中的金属离子的吸附器,原料罐和吸附器间设有输液泵,吸附器组下游还连有用以脱除金属离子的精馏塔,精馏塔的下游连有成品罐。吸附剂吸附正硅酸乙酯中的金属离子,不会引入新的杂质。同时,吸附过程和精馏相结合去除金属离子的工艺相比于亚沸蒸馏工艺对温度的要求较低。纯化装置对正硅酸乙酯进行连续提纯,因而,降低了加工难度,提高了加工效率。
技术领域
本实用新型涉及正硅酸乙酯加工技术领域,特别涉及一种正硅酸乙酯的纯化装置。
背景技术
正硅酸乙酯是半导体加工中重要的工艺气体,正硅酸乙酯在一定的工艺条件下在硅片表面沉积形成二氧化硅薄膜,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50à/min,薄膜的厚度均匀性小于3%。正硅酸乙酯不仅具有优良的工艺特性,而且在沉积加工过程中也具有较高的安全性,因而正硅酸乙酯沉积工艺已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。
正硅酸乙酯制备过程中会引入金属杂质,金属杂质会降低正硅酸乙酯的浓度,因而反应后需去除成品中的微量金属杂质、乙醇及其他有机杂质和水分。现有技术通过络合剂络合原料中的金属杂质,再通过亚蒸馏的方式获得浓度较高的正硅酸乙酯。但络合剂容易引入新的金属离子杂质,同时亚沸蒸馏的方式加工难度大、能耗高、效率低,使得产品的生产成本增加,且不能连续生产。
因此,如何有效地去除正硅酸乙酯的金属杂质是本领域技术人员急需解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种正硅酸乙酯的纯化装置,其设置了吸附器,通过吸附的方式能够有效地消除正硅酸乙酯中的金属离子。
为实现上述目的,本实用新型提供一种正硅酸乙酯的纯化装置,包括原料罐和用以吸附原料中的金属离子的吸附器,所述原料罐和所述吸附器间设有输液泵,所述吸附器组下游还连有用以脱除金属离子的精馏塔,所述精馏塔的下游连有成品罐。
优选地,原料由所述吸附器的下部进入,所述吸附器中具有位于下部的过滤层和位于过滤层上方的吸附剂。
优选地,所述过滤层包括位于最下部的孔板,所述孔板上方设有石英棉过滤层,所述石英棉过滤层上方还设有石英砂过滤层。
优选地,所述吸附器的数量大于或等于两台,且并联设置。
优选地,还包括与所述原料罐顶部相连、用以密封所述原料罐的氮气密封系统,所述氮气密封系统包括通过供气管与所述原料罐相连的气源,所述供气管中设有控制阀。
优选地,所述精馏塔包括串联设置的一级精馏塔和二级精馏塔,所述一级精馏塔底部设有一级再沸器,所述一级精馏塔的一级出口管线位于塔底。
优选地,还包括与所述一级精馏塔的一级出口管线和一级进口管线均相连、以回收物料余热的余热换热器。
优选地,所述一级精馏塔顶部设有一级冷凝器。
优选地,所述二级精馏塔底部设有二级再沸器。
优选地,所述二级精馏塔的出口管线与塔顶相连,塔顶设有成品冷凝器,物料经过冷凝后进入所述成品罐中。
本实用新型所提供的正硅酸乙酯的纯化装置,包括原料罐和用以吸附原料中的金属离子的吸附器,原料罐和吸附器间设有输液泵,吸附器组下游还连有用以脱除金属离子的精馏塔,精馏塔的下游连有成品罐。
吸附剂吸附正硅酸乙酯中的金属离子,不会引入新的杂质。同时,吸附过程和精馏相结合去除金属离子的工艺相比于亚沸蒸馏工艺对温度的要求较低。纯化装置对正硅酸乙酯进行连续提纯,因而,降低了加工难度,提高了加工效率。
附图说明
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