[实用新型]一种永磁驱动器的保护电路

说明书

本实用新型公开了一种永磁驱动器的保护电路，包括第一逻辑与非门，第二逻辑与非门、比较器、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻和第一电磁线圈。本实用新型通过第一电阻检测整个永磁操作回路的操作电流，当电流超过预设值时，比较器的2脚上的电压会超出比较器的门限值，进而使得比较器的1脚输出低电平给第一逻辑与非门的2脚或者第二逻辑与非门的2脚，此时，第一逻辑与非门的3脚输出低电平或者第二逻辑与非门的4脚输出低电平，最终控制关掉合闸IGBT的第一三极管和第四三极管，或者控制关掉分闸IGBT的第二三极管和第三三极管，减少了IGBT的烧毁概率，提高了可靠性，可广泛应用于电路设计技术领域。

技术领域

本实用新型涉及电路设计技术领域，尤其是一种永磁驱动器的保护电路。

背景技术

术语解释：

IGBT：是指绝缘栅双极型晶体管，英文名：Insulated Gate Bipolar Transistor，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。

永磁驱动器配合永磁型高压开关使用，主要优点是：机构部件比弹簧、电磁等高压开关少，切断故障电流时间短，可维护性、可靠性大大提高，因此被广泛应用在10kV架空线路。

由于永磁驱动器控制高压永磁开关分闸、合闸所需电流很大，一般高达60A-100A，所以目前主流的永磁驱动器基本都是采用IGBT方式控制，单线圈永磁高压开关采用4只IGBT组成全桥电路，通过对永磁线圈正向或反向通电，从而实现永磁机构的正转和反转，达到永磁开关分闸、合闸目的。

目前主流的永磁驱动器具体存在的问题有：(1)开关分、合闸时高达100A左右的电流对充电电源冲击很大，并影响重合操作可靠性；(2)IGBT本质上是一个场效应管，导通、关断是由栅极电压控制，只要栅极达到一定电压，就会导通，当现场环境突然很恶劣时，4只IGBT有同时被误触发风险，会引起短路，如果不及时采取措施将会导致IGBT烧毁；(3)在软件控制不能准确获取永磁合闸和分闸状态情况下，当在合闸还没结束时，分闸信号触发，将会导致IGBT短路，从而引发IGBT烧毁风险。

目前市场主流的永磁驱动器基本上不带状态反馈，在实际使用过程中，由于种种原因导致偶尔会出现IBGT烧毁情况，从而影响10KV线路的可靠性。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种可靠性高的永磁驱动器的保护电路。

本实用新型实施例提供了一种永磁驱动器的保护电路，包括第一逻辑与非门，第二逻辑与非门、比较器、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻和第一电磁线圈，所述第一逻辑与非门的1脚连接CPU的合闸信号，所述第一逻辑与非门的2脚连接比较器的1脚，所述第一逻辑与非门的3脚连接第四三极管的基极，所述第一逻辑与非门的4脚依次连接第一三极管、第一电磁线圈、第四三极管和第一电阻，所述第二逻辑与非门的1脚连接CPU的分闸信号，所述第二逻辑与非门的2脚连接比较器的1脚，所述第二逻辑与非门的4脚连接第三三极管的基极，所述第二逻辑与非门的3脚依次连接第二三极管、第一电磁线圈、第三三极管和第一电阻。

进一步，还包括第一二极管、第二电阻、光耦和第三电阻，所述第一二极管的阳极连接第一电源输入端，所述第二电阻的一端连接第一二极管的阴极，所述第二电阻的另一端连接光耦一端，所述光耦的另一端连接第一电磁线圈的一端，所述第一电磁线圈的另一端依次连接第三电阻和第一电阻。

进一步，还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极连接第一电源输入端，所述第二二极管的阴极连接第二三极管。

进一步，还包括第四电阻，所述第四电阻的一端连接第二电源输入端，所述第四电阻的另一端连接光耦。