[实用新型]一种反激式拓扑副边同步整流电路

说明书

本实用新型提供一种反激式拓扑副边同步整流电路，包括整流电路和滤波电路；所述的整流电路包括整流MOS管Q1；所述的整流MOS管Q1设置在变压器TIA副边绕组的异相端，整流MOS管Q1的S、D极分别与变压器副边绕组的低端SD和副边同步整流电路输出VIS地相连。本实用新型中，采用导通电阻极低的MOS管来代替整流二极管，大大降低了输出损耗，效率得到提升。

技术领域

本实用新型涉及反激式拓扑副边同步整流电路。

背景技术

反激式转换器(反激变换器)的核心部件包括开关，变压器，二极管和电容。开关由脉冲宽度调制(PWM)控制，通过闭合与导通在变压器两端产生高频方波信号。变压器将产生的方波信号以磁场感应的方式传递到次级线圈。在次级线圈两端通过整流和滤波在输出端得到稳定的直流输出。反激变换器广泛应用于交流直流(AC/DC)和直流直流(DC/DC)转换，并在输入级和输出级之间提供绝缘隔离，是开关电源的一种。应用范围包括低功率的开关电源，显像管的高压电源，以及绝缘栅驱动器，具有结构简单，应用广泛的优点。反激变换器具有电路结构简单，输入输出隔离，成本低，空间要求少等优点，在小功率电源中得到了广泛的应用。

如图1所示，为目前反激变换器的原理图，变压器原边，输入信号Ui加到变压器原边线圈两端，利用PWM信号控制开关K以磁场感应的方式传送到副边，在变压器副边，整流二极管D放置在高端(副边线圈的同相端)，接着就是滤波电容C进行滤波，对负载RL供电。但随着输出电流的增大，输出电压较低时，这样的反激变换器副边整流电路的二极管D导通损耗和反向恢复损耗大，效率严重降低，已满足不了日新月异的需求。

另外，在一般的同步驱动方式中，整流管都会，采用控制芯片来完成，但由于芯片外围电路复杂，加大了整体空间，同时也增加了整机成本。

实用新型内容

本实用新型针对目前反激变换器副边随着输出电流的增大，输出电压较低时，这样的反激变换器副边整流电路的二极管D导通损耗和反向恢复损耗大，效率严重降低，已满足不了日新月异的需求的不足，提供一种反激式拓扑副边同步整流电路。采用导通电阻极低的MOS管来代替整流二极管，大大降低了输出损耗，效率得到提升。

本实用新型为实现其技术目的所采用的技术方案是：一种反激式拓扑副边同步整流电路，包括整流电路和滤波电路；所述的整流电路包括整流MOS管Q1；所述的整流MOS管Q1设置在变压器TIA副边绕组的异相端，整流MOS管Q1的S、D极分别与变压器副边绕组的低端SD和副边同步整流电路输出VIS地相连。

本实用新型中，采用导通电阻极低的MOS管来代替整流二极管，大大降低了输出损耗，效率得到提升。

进一步的，上述的反激式拓扑副边同步整流电路中：还包括对整流MOS管Q1进行驱动的同步驱动电路；所述的同步驱动电路包括三极管Q27、三极管Q26、三极管Q25、二极管D19、电阻R153、电阻R152、电阻R154、电阻R151、电阻R150；

变压器副边绕组的低端SD通过二极管D19接三极管Q27的基极；

副边同步整流电路的输出端+V经电阻R153、电阻R152接三极管Q27的基极，三极管Q27的发射极接副边同步整流电路输出VIS地，三极管Q27的集电极分别接三极管Q26、三极管Q25的基极；

三极管Q26的集电极接电阻R153和电阻R152相连的公共端，三极管Q25的集电极接变压器副边绕组的低端SD；

三极管Q26和三极管Q25的发射极相连；

电阻R153和电阻R152相连的公共端通过电阻R154分别接三极管Q26、三极管Q25的基极；

三极管Q26和三极管Q25的发射极相连的公共端通过电阻R151接整流MOS管Q1的G极；在整流MOS管Q1的G、S极之间连接有电阻R150。