[实用新型]接地检测装置

权利要求书

1.一种接地检测装置，用于检测充电设备的壳体是否与接地点连接，其特征在于，所述接地检测装置包括比较电路和检测电路，所述比较电路连接在所述接地点和所述检测电路之间；

所述比较电路包括金属氧化物半导体管Q1，用于比较第一电压和第二电压并生成比较电压；

所述检测电路包括开关子电路和电压检测子电路，所述开关子电路与所述比较电路及所述电压检测电路电性连接；

所述开关子电路包括三极管Q2，所述开关子电路用于根据所述比较电压控制所述三极管Q2的工作状态进而控制所述电压检测子电路的通断；

所述电压检测子电路包括检测单元，所述检测单元用于根据所述电压检测子电路的通断检测所述电压检测子电路的电压从而判断所述充电设备的壳体的接地状态。

2.根据权利要求1所述的接地检测装置，其特征在于，所述检测电路进一步包括光电耦合器U1，所述光电耦合器U1连接所述开关子电路和所述电压检测子电路。

3.据权利要求2所述的接地检测装置，其特征在于，所述光电耦合器U1的输入端与所述开关子电路电性连接，所述光电耦合器的输出端与所述电压检测子电路电性连接。

4.根据权利要求2所述的接地检测装置，其特征在于，所述比较电路进一步包括第一电源单元、第二电源单元和分压子电路，所述第一电源单元与所述金属氧化物半导体管Q1电性连接，所述分压子电路与所述第二电源单元及所述金属氧化物半导体管Q1电性连接，所述第一电源单元用于生成所述第一电压并传送至所述金属氧化物半导体管Q1，所述第二电源单元和所述分压子电路用于生成所述第二电压并传送至所述金属氧化物半导体管Q1。

5.根据权利要求4所述的接地检测装置，其特征在于，所述第一电源单元包括第一电源和第一电容C1，所述第一电源与所述金属氧化物半导体管Q1和所述第一电容C1电性连接，所述第一电容C1的另一端接地。

6.根据权利要求5所述的接地检测装置，其特征在于，所述分压子电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第二电容C2，所述第一电阻R1的一端与所述第二电源电性连接，另一端与所述接地点、所述第二电阻R2和所述第三电阻R3电性连接，所述第二电阻R2的另一端与所述第一电源电性连接，所述第三电阻R3的另一端与所述第二电容C2及所述金属氧化物半导体管Q1电性连接，所述第二电容C2的另一端与所述第一电源电性连接。

7.根据权利要求6所述的接地检测装置，其特征在于，所述金属氧化物半导体管Q1的栅极与所述第三电阻R3电性连接，所述金属氧化物半导体管Q1的源极与所述第一电源电性连接，所述金属氧化物半导体管Q1的漏极与所述开关子电路电性连接。

8.根据权利要求7所述的接地检测装置，其特征在于，所述开关子电路包括第三电容C3、第四电容C4、第四电阻R4、第五电阻R5和第三电源，所述第三电容C3和所述第四电容C4的一端均与所述金属氧化物半导体管Q1的漏极电性连接，另一端均接地，所述第四电阻R4一端与所述金属氧化物半导体管Q1的漏极电性连接，另一端与所述三极管Q2电性连接，所述第五电阻R5的一端与所述光电耦合器U1电性连接，另一端与所述第三电源电性连接。

9.根据权利要求8所述的接地检测装置，其特征在于，所述三极管Q2的基极与所述第四电阻R4电性连接，所述三极管Q2的集电极与所述光电耦合器U1电性连接，所述三极管Q2的发射极接地连接。

10.根据权利要求9所述的接地检测装置，其特征在于，所述电压检测子单元包括第四电源、第六电阻R6、第五电容C5及电压检测点，所述第六电阻R6连接于所述第四电源及所述光电耦合器U1的输出端之间，所述第五电容C5一端与所述第六电阻R6电性连接，另一端接地连接，所述电压检测点与所述光电耦合器U1的输出端电性连接。