[实用新型]IPM驱动互锁的保护电路有效
申请号: | 201921204402.8 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN210201810U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 贺小林;王晓波;黄银彬;史欧阳 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K19/082 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 廉振保 |
地址: | 519070 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ipm 驱动 互锁 保护 电路 | ||
本实用新型提供了一种IPM驱动互锁的保护电路,包括:IPM电路模块;中央控制器,通过互锁保护电路与所述IPM电路模块相连,用于通过所述互锁保护电路向所述IPM电路模块输入控制信号,以控制所述IPM电路模块中IGBT的通断。通过上述方案使得在存在控制信号的情况下,IPM电路模块中的IGBT可以迅速放电,以达到保护IPM和负载的目的。
技术领域
本实用新型涉及电路控制技术领域,具体而言,涉及一种IPM驱动互锁的保护电路。
背景技术
由于智能功率模块(Intelligent Power Module,简称为IPM)具有GTR和MOSFET共有的优点,使得IPM被广泛应用于各种各样的电路设计当中。然而,IPM模块价格昂贵,如果由于电路设计不当导致IPM模块烧毁或者其它器件损坏,那么将导致很大的损失。
为此,现有的提供了基于三极管的智能功率模块的驱动互锁电路,然而现有的驱动互锁电路存在一定的风险,一是由于IPM内部的IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)存在寄生电容,所以在关断IGBT时会出现反饱和现象,如果电路不加以处理,那么有可能会导致IGBT持续导通一段时间,二是该电路没有对MCU(Microcontroller Unit,微控制单元)有较好的保护,当有浪涌时,有可能会对MCU产生强烈的冲击,导致MCU损坏。
针对上述问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种IPM驱动互锁的保护电路,以达到及时切断电路以实现对智能功率模块进行保护的目的。
一方面,提供了一种IPM驱动互锁的保护电路,包括:
IPM电路模块;
中央控制器,通过互锁保护电路与所述IPM电路模块相连,用于通过所述互锁保护电路向所述IPM电路模块输入控制信号,以控制所述IPM电路模块中IGBT的通断。
在一个实施方式中,所述互锁保护电路包括:第一输入端,第一保护二极管、第一电阻、第二电阻、第一三极管,其中:
所述第一输入端一侧与所述中央控制器相连,用于接收控制信号;
所述第一输入端的另一侧与所述第一保护二极管的输入端相连;
所述第一保护二极管的输出端与所述第一电阻的第一端相连;
所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端和所述第一三极管的基极相连,所述第二电阻的第二端与所述第一三极管的发射极相连,所述第一三极管的集电极与所述IPM电路模块的输入引脚相连。
在一个实施方式中,所述第一三极管为PNP三极管。
在一个实施方式中,所述IPM电路模块的输入引脚包括:所述IPM电路模块中上桥的输入引脚和所述IPM电路模块中下桥的输入引脚。
在一个实施方式中,所述IPM电路模块中上桥的输入引脚通过第二保护二极管与所述IPM电路模块中上桥的第三电阻相连。
在一个实施方式中,所述IPM电路模块中下桥的输入引脚通过第三保护二极管与所述IPM电路模块中下桥的第四电阻相连。
在一个实施方式中,所述IPM电路模块中的IGBT包括:所述IPM电路模块中的上桥的IGBT和所述IPM电路模块中下桥的IGBT。
在一个实施方式中,所述IPM电路模块中的上桥中的IGBT的三极管为PNP三极管。
在一个实施方式中,所述IPM电路模块中的下桥中的IGBT的三极管为NPN三极管。
在一个实施方式中,所述中央控制器输出的控制信号为PWM信号。
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