[实用新型]充电设备有效
申请号: | 201921095564.2 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN210201509U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 雷贵州;王乐永 | 申请(专利权)人: | 恒大智慧充电科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 充电 设备 | ||
1.一种充电设备,其特征在于,包括供电控制单元、第一电压生成电路、第二电压生成电路、第一数字信号电源DVDD1和第二数字信号电源DVDD2,所述第一电压生成电路与所述供电控制单元及所述第二电压生成电路电性连接,所述第一数字信号电源DVDD1与所述第一电压生成电路电性连接,所述第二电压生成电路与所述第二数字信号电源DVDD2电性连接,所述第一电压生成电路用于比较所述第一数字信号电源DVDD1的第一输出电压和所述供电控制单元输出的脉冲宽度调制信号从而得出第一电压,所述第二电压生成电路用于接收所述第一电压并与所述第二数字信号电源DVDD2输出的第二输出电压比较从而得出第二电压。
2.根据权利要求1所述的充电设备,其特征在于,所述第一电压生成电路包括第一电阻R1、第二电阻R2和金属氧化物半导体管Q1,所述第一电阻R1一端与所述第一数字信号电源DVDD1电性连接,另一端与所述第二电阻R2电性连接,所述第二电阻R2的另一端接地,所述金属氧化物半导体管Q1的栅极与所述第一数字信号电源DVDD1电性连接,所述金属氧化物半导体管Q1的源极与所述供电控制单元电性连接,所述金属氧化物半导体管Q1的漏极与所述第二电压生成电路电性连接。
3.根据权利要求2所述的充电设备,其特征在于,所述第二电压生成电路包括第三电阻R3、第一比较子电路、第二比较子电路和充放电子电路,所述第三电阻R3一端与所述第二数字信号电源DVDD2电性连接,另一端与所述金属氧化物半导体管Q1的漏极电性连接,所述第一比较子电路与所述第三电阻R3及所述充放电子电路电性连接,所述第二比较子电路与所述第三电阻R3电性连接且接地连接,所述充放电子电路与所述第一比较子电路及所述第二比较子电路电性连接且所述充放电子电路进一步接地连接。
4.根据权利要求3所述的充电设备,其特征在于,所述第一比较子电路包括第四电阻R4和第一三极管Q2,所述第四电阻R4一端与所述第三电阻R3电性连接,另一端与所述第一三极管Q2的基极电性连接,所述第一三极管Q2的发射极与所述第二数字信号电源DVDD2电性连接,所述第一三极管Q2的集电极与所述第二比较子电路及所述充放电子电路电性连接。
5.根据权利要求4所述的充电设备,其特征在于,所述第二比较子电路包括第五电阻R5和第二三极管Q3,所述第五电阻R5一端与所述第三电阻R3电性连接,另一端与所述第二三极管Q3的基极电性连接,所述第二三极管Q3的集电极与所述第一三极管Q2的集电极及所述充放电子电路电性连接,所述第二三极管Q3的发射极接地。
6.根据权利要求5所述的充电设备,其特征在于,所述充放电子电路包括第一电容C1、第二电容C2、第一二极管D1及第二二极管D2,所述第一电容C1的一端与所述第一三极管Q2及所述第二二极管Q3的集电极电性连接,所述第一电容C1的另一端与所述第一二极管D1及所述第二二极管D2电性连接,所述第二电容C2一端与所述第二二极管D2电性连接,另一端接地连接。
7.根据权利要求6所述的充电设备,其特征在于,所述第一二极管D1的正极与所述第一电容C1电性连接,所述第一二极管D1的负极接地连接,所述第二二极管D2的正极与所述第二电容C2电性连接,所述第二二极管D2的负极与所述第一电容C1电性连接。
8.根据权利要求1所述的充电设备,其特征在于,所述第一输出电压为3.3伏特,所述第二输出电压不小于12伏特。
9.根据权利要求6所述的充电设备,其特征在于,所述供电控制单元输出的脉冲宽度调制信号为低电平时,所述金属氧化物半导体管Q1导通,所述第一三极管Q2导通,所述第二三极管Q3不导通,所述第二数字信号电源DVDD2为所述第一电容C1充电。
10.根据权利要求6所述的充电设备,其特征在于,所述供电控制单元输出的脉冲宽度调制信号为高电平时,所述金属氧化物半导体管Q1不导通,所述第一三极管Q2不导通,所述第二三极管Q3导通,所述第一电容C1为所述第二电容C2充电。
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