[实用新型]一种电流采样比较器电路

权利要求书

1.一种电流采样比较器电路，其特征在于，包括：用于采样待感应电流的电流比例感应器；所述电流比例感应器包括：功率MOS管、检测MOS管、运算放大器及跟随电流镜像管；

待感应电流在所述功率MOS管导通内阻上产生导通电压，该导通电压通过所述运算放大器复制到所述检测MOS管的导通电阻上，产生跟随电流，所述跟随电流镜像管镜像所述跟随电流产生一个与所述待感应电流成比例的跟随电流镜像电流源。

2.根据权利要求1所述的一种电流采样比较器电路，其特征在于，所述电流比例感应器包括：功率电流输入端口、控制端口、电压输入正端口、电压输入负端口及采样镜像电流源输出端口；所述电压输入正端口和电压输入负端口分别与电源正极和电源负极连接，功率电流输入端口和控制端口分别与电流比例感应器外部提供的待检测的电流和控制信号连接。

3.根据权利要求2所述的一种电流采样比较器电路，其特征在于，还包括：用于将所述电流比例感应器输出的跟随电流镜像电流源与电流阈值进行比较并输出判断结果的电流比较器；所述电流比例感应器的采样镜像电流源输出端口与所述电流比较器的电流输入端口连接。

4.根据权利要求3所述的一种电流采样比较器电路，其特征在于，所述电流比较器包括：电流输入端口、阈值电流输入端口、输入电压正端口、输入电压负端口及用于输出判断结果的比较结果输出端口；阈值电流输入端口与电流比较器外部的阈值电流信号接通，输入电压正端口和输入电压负端口分别与电源正极和电源负极连接。

5.根据权利要求4所述的一种电流采样比较器电路，其特征在于，所述跟随电流镜像管包括：三极管PM1及三极管PM2；所述功率MOS管的漏极与所述运算放大器的反向输入端口连接；所述功率MOS管的栅极与所述检测MOS管的栅极及所述运算放大器的使能端口连接；所述运算放大器的正向输入端口与三极管PM1的漏极及检测MOS管的漏极连接；所述运算放大器的输出端口与三极管PM1的栅极及三极管PM2的栅极连接；所述运算放大器的电压正端口与三极管PM1的源极及三极管PM2的源极连接；所述运算放大器的电压负端口与所述功率MOS管的源极及所述检测MOS管的源极连接；三极管PM2的漏极作为所述电流比例感应器的采样镜像电流源输出端口。

6.根据权利要求5所述的一种电流采样比较器电路，其特征在于，所述电流比较器包括：电流漏及施密特；所述电流漏的输入端口与所述施密特的输入端口连接，并作为所述电流比较器的电流输入端口；所述电流漏的输出端口与施密特电压输入负端口连接；所述施密特的输出端口作为所述电流比较器的比较结果输出端口。

7.根据权利要求5所述的一种电流采样比较器电路，其特征在于，所述电流比较器包括：电流漏、MOS管NM8及负载电阻R1；所述电流漏的输入端口与MOS管NM8的栅极连接，并作为所述电流比较器的电流输入端口；所述电流漏的输出端口与MOS管NM8的源极连接；MOS管NM8的漏极与负载电阻R1连接且作为所述电流比较器的比较结果输出端口。

8.根据权利要求4所述的一种电流采样比较器电路，其特征在于，所述跟随电流镜像管包括：三极管NM6及三极管NM7；所述功率MOS管的栅极与所述检测MOS管的栅极及所述运算放大器的使能端口连接；所述功率MOS管的漏极与所述运算放大器的反向输入端连接；所述运算放大器的电压负端口与三极管NM6的源极及三极管NM7的源极连接；所述功率MOS管的漏极与所述检测MOS管的漏极及所述运算放大器的电压正端口连接；三极管NM7的栅极与三极管NM6的栅极及所述运算放大器的输出端口连接；三极管NM6的漏极与三极管NM7的源极及所述运算放大器的正向输入端连接；三极管NM7的漏极作为所述电流比例感应器的采样镜像电流源输出端口。

9.根据权利要求8所述的一种电流采样比较器电路，其特征在于，所述电流比较器包括：MOS管PM3、MOS管PM4、MOS管NM9及负载电阻R2；MOS管PM4的漏极与MOS管NM9的栅极连接，并作为所述电流比较器的电流输入端口；MOS管NM9的漏极与负载电阻R2的第二端口连接，并作为所述电流比较器的比较结果输出端口；MOS管PM3的栅极与MOS管PM3的漏极连接；MOS管PM3的源极与MOS管PM4的源极及负载电阻R2的第一端口连接。