[实用新型]一种应用于手机、平板的石墨烯导热膜

说明书

本实用新型公开了一种应用于手机、平板的石墨烯导热膜，包括石墨烯导热膜本体、双面胶层和导热硅胶片；石墨烯导热膜本体：所述石墨烯导热膜本体包括基底和石墨烯层，石墨烯层分布在基底的上表面；导热硅胶片：所述导热硅胶片贴合在基底的下表面；双面胶层：所述双面胶层贴合在导热硅胶片的下表面，所述石墨烯层中的石墨烯包括碳元素与非碳元素，所述石墨烯层中的石墨烯为带有官能团的石墨烯，其通过导热硅胶片来填充接触面的间隙，大大提高了石墨烯导热膜的整体传热效率，易于运输且方便应用，导热性能优良。

技术领域

本实用新型涉及石墨烯导热膜技术领域，具体为一种应用于手机、平板的石墨烯导热膜。

背景技术

自2004年石墨烯被发现以来，其独特的结构和优异的性能亦引起了研究者的广泛关注，其优良的电导率、热导率、高比表面积及力学性能使得石墨烯拥有巨大的应用潜力，现有技术中：申请公布号CN 108461463 A的专利公开了一种应用于CPU芯片的石墨烯复合膜，其制备方法如下：(1)将氧化石墨烯粉末在溶剂中混合均匀，超声分散50-80min，然后静置20-25min，得到悬浮液；(2)采用旋涂法将悬浮液涂布在基底上，然后真空干燥5-15min后，得到单层石墨烯膜；(3)在单层石墨烯膜上喷涂一层铜粉层，铜粉层的厚度为0.01-0.05mm；(4)除去基底，得到单层高导电率石墨烯膜；(5)重复步骤(2)、步骤(3)和步骤(4)3-5次；(6)将在密封腔室中将单层高导电率石墨烯膜在基底上相互叠合，并通入混合气体，在50-200N的压力下压制15-30min得到高导电率石墨烯膜，石墨烯片层组装时会与接触面产生空隙，空隙不仅会形成热阻也会影响石墨烯薄膜的密度，从而降低石墨烯导热膜的整体传热效率，同时，其结构复杂，不能够满足使用需求。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种应用于手机、平板的石墨烯导热膜，通过导热硅胶片来填充接触面的间隙，大大提高了石墨烯导热膜的整体传热效率，易于运输且方便应用，导热性能优良，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种应用于手机、平板的石墨烯导热膜，包括石墨烯导热膜本体、双面胶层和导热硅胶片；

石墨烯导热膜本体：所述石墨烯导热膜本体包括基底和石墨烯层，石墨烯层分布在基底的上表面；

导热硅胶片：所述导热硅胶片贴合在基底的下表面；

双面胶层：所述双面胶层贴合在导热硅胶片的下表面。

进一步的，所述石墨烯层中的石墨烯包括碳元素与非碳元素，非碳元素为氟、氮、氧、硫、氢、氯、溴、碘中的至少一种，通过增加非碳元素来提高石墨烯层的整体性能。

进一步的，所述石墨烯层中的石墨烯为带有官能团的石墨烯，官能团为羟基、羧基、羰基、氨基、巯基中的至少一种，保证了氧化还原反应的正常进行。

进一步的，所述石墨烯层中的石墨烯为通过氧化还原法制备的产物，氧化还原法所使用的还原剂为N-二异丙基乙胺，用N，N-二异丙基乙胺作为还原剂助剂，对氧化石墨烯进行处理，可以有效的对其表面进行还原，保证恒温水浴100℃下反应就能够进行彻底反应，通过对氧化石墨烯表面的环氧基等基团进行还原，从而有效减小了石墨烯导热膜片层间隙。

进一步的，所述石墨烯层中的石墨烯的纯度为99.1％-99.8％，石墨烯层厚度小于20μm，保证了设计的合理性。

进一步的，所述基底为铜箔基底和铝箔基底的一种，石墨烯层涂覆在基底的上表面，保证了设计的合理性。

进一步的，所述石墨烯导热膜本体的上表面为网格结构，石墨烯导热膜本体上的网格交叉点处镀接有散热鳞片，通过网格结构和散热鳞片的热辐射作用，进一步提高石墨烯导热膜本体导热和散热能力。