[实用新型]尾气处理收集装置有效

专利信息
申请号: 201920975212.X 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN210448145U 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 汪涛 申请(专利权)人: 东泰高科装备科技有限公司
主分类号: B01D5/00 分类号: B01D5/00;B01D53/00;F28D7/08;F28F1/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谭云
地址: 102209 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 尾气 处理 收集 装置
【说明书】:

实用新型涉及环境保护技术领域,提供一种尾气处理收集装置,包括处理腔室,所述处理腔室内设冷却腔室,所述处理腔室的尾气输入口与所述冷却腔室连通,所述冷却腔室沿尾气输入方向的两侧分别设有一组冷却件,所述冷却腔室内设有刮板件,所述刮板件与所述冷却腔室的内壁相切设置,所述冷却腔室通过收集管道与收集腔室连通。通过将MOCVD工艺中产生的尾气通入处理腔室内的冷却腔室内,其两侧的冷却件对冷却腔室内的尾气进行低温冷却,将尾气中的有毒物质凝结为固体颗粒物,通过设置刮板件,对附着在冷却腔室内壁上的有毒物质进行挂取收集,有效减少有毒物质的排放,保护环境。

技术领域

本实用新型涉及环境保护技术领域,特别是涉及一种尾气处理收集装置。

背景技术

随着半导体生产和光伏生产工艺技术的发展,气相外延生长技术逐渐成为其生产工艺中的主流技术。同时,在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术即MOCVD工艺(金属有机化合物化学气相沉淀)。

MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料,MOCVD生长使用的源材料为易燃、易爆、有毒物质。MOCVD反应气体经过反应室后大部分被热分解,但是还有部分未完全分解,因此未经处理的尾气不得排放到大气中。

在尾气处理工艺中经过高温热解炉加热分解后,进行有毒物质收集处理,常用的四种处理方法:1)用硅油或用高锰酸钾溶液过滤对高温热解后废气进行过滤处理;2)用装有硫酸、水、氢氧化钠的过滤瓶对废气进行化学过滤处理;3)冷却处理后固体吸附剂吸附处理;4)水淋处理。上述1)和2)方法需要使用大量的化学物品,不适合大批量的MOCVD工艺生产;上述3)方法需要更换及时滤芯影响MOCVD生产设备的生产时间;上述4)方法需要使用大量的水资源,易产生大量污染水,需要进行有毒污染水的二次处理。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型的目的是提供一种尾气处理收集装置,以解决现有MOCVD工艺生产中产生的含有毒物质的尾气无法有效处理的问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种尾气处理收集装置,包括处理腔室,所述处理腔室内设冷却腔室,所述处理腔室的尾气输入口与所述冷却腔室连通,所述冷却腔室沿尾气输入方向的两侧分别设有一组冷却件,所述冷却腔室内设有刮板件,所述刮板件与所述冷却腔室的内壁相切设置,所述冷却腔室通过收集管道与收集腔室连通。

其中,所述刮板件包括阿基米德螺旋刮片,所述阿基米德螺旋刮片上沿周向均匀设有多个支撑杆。

其中,所述阿基米德螺旋刮片的中心端与所述收集管道连接,所述收集管道上设有与所述阿基米德螺旋刮片适配的切口。

其中,还包括驱动电机,所述驱动电机的驱动端与中空旋转平台的中心轴连接,所述中空旋转平台的转盘与所述收集管道的端部连接。

其中,还包括氮气输送管道,所述氮气输送管道的一端安装在密封护罩上,所述氮气输送管道与所述收集管道连通。

其中,所述冷却件包括多根冷却盘管和多个冷却翅片,多根所述冷却盘管并联。

其中,所述收集管道通过气固输送管道与所述收集腔室连通,所述气固输送管道内设有防回流导向片。

其中,所述收集腔室内设有与所述气固输送管道适配的围板,所述围板的上端与所述收集腔室的顶侧连接,所述围板的下端悬空设置,所述围板的两侧分别设有格栅,所述格栅的下端与所述收集腔室的底侧连接,所述格栅的上端悬空。

其中,所述收集腔室的一侧设有废气输出管道。

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