[实用新型]一种单向等离激元布拉格波导反射器有效

专利信息
申请号: 201920963978.6 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN210376753U 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 李光元;鲁远甫;焦国华;吕建成 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02B5/00
代理公司: 深圳智趣知识产权代理事务所(普通合伙) 44486 代理人: 崔艳峥
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 单向 离激元 布拉格 波导 反射
【权利要求书】:

1.一种单向等离激元布拉格波导反射器,包括,第一金属层,非金属层以及第二金属层;其特征是,

所述非金属层包括芯层,以及在所述芯层上形成的沿所述芯层内电磁波传输方向非对称的、与所述芯层一体形成的至少一个微结构;

所述反射器还包括第一端口和第二端口,所述第一端口和第二端口用于允许所述电磁波输入所述反射器,或者用于允许所述电磁波从所述反射器输出;所述第一端口允许所述电磁波沿第一方向入射到所述反射器内,所述第二端口允许所述电磁波沿第二方向入射到所述反射器内;

当所述电磁波从第一端口沿所述反射器的第一方向入射时,所述反射器呈现出高吸收率;

当所述电磁波从第二端口沿所述反射器的第二方向入射时,所述反射器呈现出高反射率。

2.如权利要求1所述的反射器,其特征在于,所述第一方向与所述第二方向为两平行且相反的方向。

3.如权利要求1所述的反射器,其特征在于,当所述电磁波沿所述反射器的第一方向入射时,所述反射器表现出的反射率为R+;当所述电磁波沿所述反射器的第二方向入射时,所述反射器表现出的反射率为R-;设反射消光比为10×lg(R-/R+),所述反射器的反射消光比大于8dB。

4.如权利要求1-3中任一项所述的反射器,其特征在于,所述微结构至少为两个,且所述两个微结构相对于所述芯层对称设置;且相对所述芯层对称设置的所述两个微结构共同形成一个微结构单元,所述反射器包括至少一个所述微结构单元。

5.如权利要求4所述的反射器,其特征在于,所述微结构单元沿所述电磁波传输方向等间隔设置,并形成周期性结构。

6.如权利要求1-3中任一项所述的反射器,其特征在于,所述反射器的第一端口和第二端口的输入输出厚度相等;所述输入输出厚度保证在由第一金属层、非金属层以及第二金属层所形成的波导内,所述电磁波只传输单一的基模。

7.如权利要求1-3中任一项所述的反射器,其特征在于,所述微结构的截面为三角形、梯形或平行四边形。

8.如权利要求5所述的反射器,其特征在于,所述微结构的截面为三角形、梯形或平行四边形。

9.如权利要求8所述的反射器,其特征在于,所述微结构的截面为直角三角形;所述直角三角形的其中一个直角边与所述芯层的表面重合,另一直角边设置在所述第二端口一侧,从所述芯层的表面垂直向所述芯层外侧延伸。

10.如权利要求9所述的反射器,其特征在于,所述一个直角边的长度,即所述三角形的宽度w在180nm-220nm的范围内,所述另一直角边即所述三角形的高度h在130nm-180nm的范围内。

11.如权利要求10所述的反射器,其特征在于,所述宽度w=210nm,所述高度h=150nm。

12.如权利要求1-3中任一项所述的反射器,其特征在于,所述电磁波的波长λ在765nm-820nm以及505-605nm的范围内。

13.如权利要求5、9、10或11所述的反射器,其特征在于,所述微结构单元的排布周期p在200nm-800nm的范围内。

14.如权利要求4所述的反射器,其特征在于,所述微结构单元的数量N≥4。

15.如权利要求10或11所述的反射器,其特征在于,所述输入输出的厚度D0=100nm,所述宽度w=210nm,所述高度h=150nm,所述周期p=208nm,所述电磁波波长λ=800nm;所述微结构单元的个数N=4。

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