[实用新型]一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统有效

专利信息
申请号: 201920919493.7 申请日: 2019-06-19
公开(公告)号: CN210136297U 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 魏榕山;蔡魏威;林铖 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07;G01R33/06;G01R33/10;H02K29/08;H02P6/16
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 郭东亮;蔡学俊
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 电机 垂直 阵列 霍尔 角度 传感器 系统
【权利要求书】:

1.一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统,可用于无刷直流电机,其特征在于:所述霍尔角度传感器系统包括多根用于电机内部磁场检测的条形垂直霍尔器件;所述多根霍尔器件首尾相邻形成一个几何完全对称的多边形的磁场探测结构;所述霍尔器件的磁场探测部为半导体元件;所述半导体元件的磁场探测面处设有垂直霍尔结构;所述垂直霍尔结构为交替设于半导体衬底上的P型区和N型区;当电机工作时,电机磁场以非交叠分时时序扫描磁场探测结构的各个磁场探测面,使所述磁场探测结构输出电机磁场状态监测信号。

2.根据权利要求1所述的一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统,其特征在于:所述霍尔器件设有与磁场探测部相连的监测芯片;当电机磁场以非交叠分时时序扫描扫描磁场探测部的磁场探测面时,监测芯片输出电机磁场状态监测信号。

3.根据权利要求2所述的一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统,其特征在于:所述霍尔器件设有多个接触孔;各接触孔处均设有重掺杂N+区间;各个接触孔之间设置有高掺杂的P+区间;所述接触孔内设有垂直霍尔结构;所述垂直霍尔结构包括P型衬底和设于P型衬底上的N阱;与所述N阱两侧相邻的P型衬底上设有P阱;N阱上交替设置P型区和N型区。

4.根据权利要求3所述的一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统,其特征在于:所述P型区为P+电极;所述N型区为N+电极;所述每个垂直霍尔结构的N阱上设置的P型区和N型区的总数为九个;其排列顺序为N+电极、P+电极、N+电极、P+电极、N+电极、P+电极、N+电极、P+电极、N+电极。

5.根据权利要求3所述的一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统,其特征在于:所述条形垂直霍尔器件数量为八个;所述垂直霍尔结构为以深N阱CMOS高压工艺制备的垂直霍尔结构。

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