[实用新型]吸收保护电路

权利要求书

1.一种吸收保护电路，其特征在于，包括：

第一放电单元，所述第一放电单元与负载电连接；

第一充电单元，所述第一充电单元与所述第一放电单元电连接；

第二放电单元，所述第二放电单元与负载电连接；

第二充电单元，所述第二充电单元与所述第二放电单元电连接；

电容C3，所述电容C3分别与所述第一充电单元及所述第二充电单元电连接。

2.根据权利要求1所述的吸收保护电路，其特征在于，所述第一放电单元包括：

MOS管Q1，所述MOS管Q1的源极与负载电连接，所述MOS管Q1的漏极与电源VCC电连接；

电阻VR1，所述电阻VR1的一端分别与所述MOS管Q1的漏极及电源VCC电连接，所述电阻VR1的另一端与所述MOS管Q1的源极及负载电连接；

电容C1，所述电容C1的一端与所述MOS管Q1的漏极及电源VCC电连接；

二极管D1，所述二极管D1的正极与所述电容C1的另一端电连接，所述二极管D1的负极分别与所述MOS管Q1的源极及负载电连接。

3.根据权利要求2所述的吸收保护电路，其特征在于，所述第一充电单元包括：

二极管D3，所述二极管D3的负极与所述电容C1的另一端电连接；

电阻R3，所述电阻R3的一端与所述二极管D3的正极电连接，所述电阻R3的另一端与所述电容C3的负极电连接。

4.根据权利要求2所述的吸收保护电路，其特征在于，所述电阻VR1为压敏电阻。

5.根据权利要求2所述的吸收保护电路，其特征在于，所述MOS管Q1为NMOS管。

6.根据权利要求1所述的吸收保护电路，其特征在于，所述第二放电单元包括：

MOS管Q2，所述MOS管Q2的漏极与负载电连接，所述MOS管Q2的源极接地；

电阻VR2，所述电阻VR2的一端与所述MOS管Q2的源极电连接，所述电阻VR2的另一端与所述MOS管Q2的漏极及负载电连接；

电容C2，所述电容C2的一端与所述MOS管Q2的源极电连接；

二极管D2，所述二极管D2的负极与所述电容C2的另一端电连接，所述二极管D2的正极分别与所述MOS管Q2的漏极及负载电连接。

7.根据权利要求6所述的吸收保护电路，其特征在于，所述第二充电单元包括：

电阻R4，所述电阻R4的一端与所述电容C2的另一端电连接；

二极管D4，所述二极管D4的正极与所述电阻R4的另一端电连接，所述二极管D4的负极与所述电容C3的正极电连接。

8.根据权利要求6所述的吸收保护电路，其特征在于，所述电阻VR2为压敏电阻。

9.根据权利要求6所述的吸收保护电路，其特征在于，所述MOS管Q2为NMOS管。