[实用新型]高效多路低成本直流过载检测保护电路

说明书

本实用新型公开了保护电路技术领域的一种高效多路低成本直流过载检测保护电路，包括检测电路、电源、驱动电路、比较器和延时电路，检测电路供电端电性连接在电源，检测电路与驱动电路串联，检测电路的输出端与比较器的输入端电性连接，比较器的电源端电性连接在电源，比较器的输出端与延时电路的输入端电性连接，延时电路的电源端电性连接在电源，延时电路的输出端与驱动电路的输入端电性连接，本实用新型拥有较好的环境适应性，避免了延时时间误差较大，一致性比较差的问题，实现自动切断的保护作用，解决了MOS管过热，易损坏的问题。

技术领域

本实用新型涉及保护电路技术领域，具体为一种高效多路低成本直流过载检测保护电路。

背景技术

现有的低压直流过载保护一般有过流保护和短路保护。一般采用三极管及采样电阻对MOS管进行高端电流检测，检测所得电压通过三极管来控制 MOS的导通与关断，再根据电容的充放电特性，延时启动MOS前级三极管，已达到延时驱动的目的，从而实现过载保护。

现有技术的低压直流过载保护电路中由于直接采用阻容控制延时电路，延时时间误差较大，一致性比较差，同时采用三极管管控过流保护电路，容易使得MOS管工作在未完全导通状态，从而导致MOS管过热，易损坏。

基于此，本实用新型设计了一种高效多路低成本直流过载检测保护电路，以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高效多路低成本直流过载检测保护电路，以解决上述背景技术中提出的现有技术的低压直流过载保护电路中由于直接采用阻容控制延时电路，延时时间误差较大，一致性比较差，同时采用三极管管控过流保护电路，容易使得MOS管工作在未完全导通状态，从而导致MOS管过热，易损坏的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种高效多路低成本直流过载检测保护电路，包括检测电路、电源、驱动电路、比较器和延时电路；

所述检测电路供电端电性连接在所述电源，所述检测电路与所述驱动电路串联，所述检测电路的输出端与所述比较器的输入端电性连接；

所述比较器的电源端电性连接在所述电源，所述比较器的输出端与所述延时电路的输入端电性连接；

所述延时电路的电源端电性连接在所述电源，所述延时电路的输出端与所述驱动电路的输入端电性连接。

优选的，所述检测电路包括PNP管Q9、检测电阻Rs3、检测电阻Rs5、电阻R21、电阻R29、电阻R33和电容C8，所述电源与电阻Rs3的第一端电性连接，所述电阻Rs3的第二端与所述检测电阻Rs5的第一端电性连接，所述检测电阻Rs5的第二端与所述驱动电路电性连接，所述电源与所述PNP管 Q9的发射集电性连接，所述PNP管Q9的基极通过电阻R21连接在所述检测电阻Rs5的第二端，所述PNP管Q9的集电极与所述电阻R29的第一端电性连接，所述电阻R29的第二端电性连接有电阻R33的第一端、所述电容C8 的第一端和比较器，所述电阻R33的第二端和所述电容C8的第二端均接地。

优选的，所述电源与所述PNP管Q9之间还串联有热敏电阻PTC2。

优选的，所述驱动电路包括电阻R22、MOS管Q8、电阻R25、NPN管 Q10、电阻R31、电阻R28、NPN管Q31和电阻R35，所述检测电路与所述电阻R22第一端和所述MOS管Q8的源极电性连接，所述MOS管Q8的栅极与所述电阻R22的第二端均与所述电阻R25的第一段电性连接，所述电阻 R25的第二端与所述NPN管Q10的集电极电性连接，所述NPN管Q10的基极与所述电阻R28的第一端、所述电阻R31的第一端和所述NPN管Q13的集电极均电性连接，所述电阻R31的第二端与所述NPN管Q10的发射极均接地，所述NPN管Q13的基极与所述电阻R35的第一端电性连接，所述电阻 R35的第二端与所述NPN管Q13的发射极均接地。