[实用新型]半导体器件和电子系统有效
申请号: | 201920800879.6 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN210072134U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | M·A·肖;L·马吉;A·芬卡托 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/30 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学波导 半导体器件 包层材料 光纤耦合接口 半导体主体 绝热 电子系统 耦合关系 表面处 波导芯 延伸 施加 申请 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
半导体主体,包括表面和设置在所述表面中的凹部分,所述凹部分包括底表面;
光学波导芯的第一阵列,其中所述第一阵列中的光学波导芯在所述底表面处并排延伸;
光学波导芯的第二阵列,其中所述第二阵列中的光学波导芯在光学波导芯的所述第一阵列之上并排延伸,并且其中光学波导芯的所述第二阵列中的每个光学波导芯与光学波导芯的所述第一阵列中的对应的波导芯处于绝热耦合关系;和
光学波导包层材料,设置在光学波导芯的所述第二阵列之上,其中光学波导芯的所述第二阵列和施加在其上的所述光学波导包层材料提供光纤耦合接口。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,光学波导芯的所述第二阵列中的光学波导芯的尺寸大于光学波导芯的所述第一阵列中的光学波导芯的尺寸。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述凹部分设置在所述半导体主体的所述表面的边缘处,并且其中所述凹部分具有开口侧。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括在光学波导芯的所述第二阵列的端面处的光反射表面,所述光反射表面为光学波导芯的所述第二阵列提供成角度的光学耦合路径。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,还包括在所述成角度的光学耦合路径中的光束准直或聚焦光学器件。
6.一种电子系统,其特征在于,包括:
半导体主体,包括表面和设置在所述表面中的凹部分,所述凹部分包括底表面;
光学波导芯的第一阵列,其中所述第一阵列中的光学波导芯在所述底表面处并排延伸;
光学波导芯的第二阵列,其中所述第二阵列中的光学波导芯在光学波导芯的所述第一阵列之上并排延伸,其中光学波导芯的所述第二阵列中的每个光学波导芯与光学波导芯的所述第一阵列中的对应的波导芯处于绝热耦合关系;
光学波导包层材料,设置在光学波导芯的所述第二阵列之上,其中光学波导芯的所述第二阵列和施加在其上的所述光学波导包层材料提供光纤耦合接口;和
外部光学连接器件,耦合到所述光纤耦合接口中的光学波导芯的所述第二阵列。
7.根据权利要求6所述的电子系统,其特征在于,所述外部光学连接器件包括耦合到光学波导芯的所述第二阵列的光纤的第三阵列,并且其中光纤的所述第三阵列被光学耦合到光学波导芯的所述第一阵列。
8.根据权利要求6所述的电子系统,其特征在于,所述外部光学连接器件包括耦合到光学波导芯的所述第二阵列的光电转换器,并且其中所述光电转换器被光学耦合到光学波导芯的所述第一阵列中的光学波导芯。
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