[实用新型]一种晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 201920702743.1 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN209816334U 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 高晓丽;付旻;耿荣丽;高鸿宇 申请(专利权)人: 太原师范学院
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00
代理公司: 32365 泰州淘权知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 杨建新
地址: 030619 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 玻璃杯 进样器 坩埚 晶体生长装置 本实用新型 竖直杆体 水冷装置 底座 固定设置 加热装置 晶体生长 外侧设置 出气管 矩形框 内固定 倒U形 基液 籽晶 蒸汽 冷却
【说明书】:

实用新型提供了一种晶体生长装置,该晶体生长装置包括:底座、第一玻璃杯、进样器、以及水冷装置;所述第一玻璃杯内固定设置有坩埚,所述坩埚的外侧设置有加热装置;所述进样器包括设置再所述坩埚内的竖直杆体,以及固定设置在所述竖直杆体的底端的矩形框;还包括倒U形的出气管。本实用新型的有益效果是:通过设置的底座,可以达到连接其它部件的目的;通过设置的第一玻璃杯,可以达到实现晶体生长的目的;通过设置的进样器,可以达到放置籽晶的目的;通过设置的水冷装置,可以达到对基液蒸汽进行冷却的目的。

技术领域

本实用新型涉及到晶体生长技术领域,尤其涉及到一种晶体生长装置。

背景技术

晶体生长是指物质在一定温度、压力、浓度、介质、pH等条件下由气相、液相、固相转化,形成特定线度尺寸晶体的过程。

晶体生长的原理是基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系的合理维持。如在溶液中的晶体生长要求在平衡溶解度附近溶质有一定适宜的过饱和度。晶体生长方法是多样的,如水热法生长人工水晶,区域熔融法生长硅、锗单晶、氢氧焰熔融法生长轴承用宝石,航天失重法培养晶体以及升华法;同质或异质外延生长法等。

现有的晶体生长装置无法很好的固定籽晶,且现有的晶体生长装置无法收集散发的基液蒸汽。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足,提供了一种晶体生长装置。

解决了现有技术中的晶体生长装置不能很好的固定籽晶的问题;同时解决了现有技术中的晶体生长装置无法收集散发的基液蒸汽的问题。

本实用新型是通过以下技术方案实现:

本实用新型提供了一种晶体生长装置,该晶体生长装置包括:底座、第一玻璃杯、进样器、以及水冷装置;

所述第一玻璃杯内固定设置有坩埚,所述坩埚的外侧设置有加热装置;

所述进样器包括设置在所述坩埚内的竖直杆体,以及固定设置在所述竖直杆体的底端的矩形框;其中,所述矩形框的右侧开口,所述矩形框的三侧均为玻璃板,位于所述矩形框底侧的所述玻璃板开设有第一通孔;

还包括倒U形的出气管,所述出气管的左侧的底端设置在所述坩埚内,所述竖直杆体的顶端固定设置在所述出气管的左侧的底端的一侧;且所述水冷装置套设在所述出气管的左侧的四周。

优选的,所述底座开设有用于放置所述第一玻璃杯的凹槽,所述第一玻璃杯的上方设置有杯盖。

优选的,所述底座的一侧设置有竖直的伸缩杆,所述伸缩杆的顶端固定连接有横板,所述横板的下表面连接有用于夹持所述出气管的左侧的固定装置。

优选的,所述固定装置包括左侧开口的框架,所述框架的右侧板开设有竖直的滑槽,所述滑槽内设置有滑块,所述框架内设置有可转动的外螺纹杆,所述外螺纹杆上设置有螺母,所述螺母的左侧壁通过第一杆体与所述出气管的左侧固定连接,所述螺母的右侧壁通过第二杆体与所述滑块固定连接。

优选的,所述水冷装置为套设在所述出气管的左侧的四周的冷凝管,所述冷凝管下端连接有进水管,所述冷凝管的上端连接有出水管。

优选的,还包括盛有基液的第二玻璃杯;所述第二玻璃杯的下部连接有进气口,所述出气管的右侧的底端通过橡胶管与所述进气口相连通。

本实用新型的有益效果是:通过设置的底座,可以达到连接其它部件的目的;通过设置的第一玻璃杯,可以达到实现晶体生长的目的;通过设置的进样器,可以达到放置籽晶的目的;通过设置的水冷装置,可以达到对基液蒸汽进行冷却的目的。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种晶体生长装置的结构示意图;

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