[实用新型]一种用于检测半导体器件键合强度的测试装置有效
| 申请号： | 201920523145.8 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN209992365U | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 宾伟雄 | 申请（专利权）人： | 深圳市德瑞茵精密科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N19/04 | 分类号： | G01N19/04 |
| 代理公司： | 11582 北京久维律师事务所 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招商*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 安装板 刀具 本实用新型 复合悬臂梁 位移传感器 自由端 测试 穿透 测量 半导体材料层 强度测试装置 实时检测测试 半导体检测 半导体器件 技术半导体 接触传感器 位移变化量 自由端位置 测试过程 测试装置 技术要点 控制测试 器件键合 检测 失败 键合 可控 割裂 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，包括安装板(1)，安装板(1)上固定安装有复合悬臂梁(2)，复合悬臂梁(2)的自由端和安装板(1)之间设有微动机构(3)，复合悬臂梁(2)的自由端上固定连接有推力传感器(5)，推力传感器(5)下方固定连接有测试刀具(6)，安装板(1)在复合悬臂梁(2)的自由端上部固定安装有用于测量自由端位移变化量的位移传感器(11)，复合悬臂梁(2)的自由端和固定端之间固定连接有用于检测刀具下压力的接触传感器(4)。
2.根据权利要求1所述的用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，位移传感器(11)测试精度小于等于1um。
3.根据权利要求2所述的用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，位移传感器(11)为LVDT微位移传感器。
4.根据权利要求2所述的用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，位移传感器(11)为线性光栅尺。
5.根据权利要求1-4任一所述的用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，接触传感器(4)包括压电式压力传感器和压感式压力传感器。
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