[实用新型]直流供电过压保护装置

说明书

本实用新型提供的一种直流供电过压保护装置，包括开关输出单元、比较控制电路以及过压保护单元；所述过压保护单元包括保险丝F1、可控硅SCR1、可控硅SCR2、电阻R2、电阻R3、压敏电阻VR、电阻R4、电阻R5、齐纳二极管DW1以及继电器；所述比较控制电路的输入端与电阻R4和电阻R5之间的公共连接点连接，所述比较控制电路用于控制继电器的线圈J1与电源之间的通断；在向直流用电设备供电时能够准确地检测直流电压是否过压，并且在过压时进行两级保护，从而能够有效确保用电设备的安全。

技术领域

本实用新型涉及一种电力保护装置，尤其涉及一种直流供电过压保护装置。

背景技术

现有的直流用电设备中，一般是将220V市电通过全桥式整流电路转换成直流电，然后进行相应的稳压电路处理，形成所需的直流电，比如LED路灯、家用LED照明灯、电脑主机等均需要上述的处理过程，然而，由于市电在使用过程中时常出现波动，从而使得全桥式整流电路输出的直流电也随之而波动，虽然具有稳压电路，但是，如果市电电压波动较大以及市电电压较长时间处于一种过压状态，那么将对有序的稳压电路以及负载等造成不可逆性损坏，从而存在严重的用电安全隐患，虽然现有技术中具有过压保护电路，但是其功能单一。

实用新型内容

因此，本实用新型的目的是提供一种直流供电过压保护装置，在向直流用电设备供电时能够准确地检测直流电压是否过压，并且在过压时进行两级保护，从而能够有效确保用电设备的安全。

本实用新型提供的一种直流供电过压保护装置，包括开关输出单元、比较控制电路以及过压保护单元；

所述过压保护单元包括保险丝F1、可控硅SCR1、可控硅SCR2、电阻R2、电阻R3、压敏电阻VR、电阻R4、电阻R5、齐纳二极管DW1以及继电器；

所述保险丝F1的一端作为过压保护单元的输入端与直流电源连接，保险丝F1的另一端与开关输出单元的输入端连接，开关输出单元的输出端与负载连接，所述可控硅SCR1的正极连接于保险丝F1与开关输出单元之间的公共连接点，所述可控硅SCR1的负极接地，压敏电阻VR的一端连接于可控硅SCR1的正极，压敏电阻VR的另一端通过电阻R3接地，压敏电阻VR与电阻R3之间的公共连接点通过电阻R2与可控硅SCR1的控制极连接，压敏电阻VR与电阻R3之间的公共连接点通过电容C1接地，电阻R4的一端与可控硅SCR1的正极连接，电阻R4的另一端通过电阻R5接地，电阻R4和电阻R5之间的公共连接点与齐纳二极管DW1的负极连接，齐纳二极管DW1的正极与可控硅SCR2的控制极连接，可控硅SCR2的负极作为过压保护单元的控制输出端与开关输出单元的控制输入端连接，可控硅SCR2的正极通过继电器的常开开关J-K与可控硅SCR1的正极连接；

所述比较控制电路的输入端与电阻R4和电阻R5之间的公共连接点连接，所述比较控制电路用于控制继电器的线圈J1与电源之间的通断。

优选地，所述开关输出单元包括电阻R7、电阻R8、电容C2以及PMOS管Q2；

所述PMOS管Q2的源极作为开关输出单元的输入端与保险丝F1连接，PMOS管Q2的漏极作为开关输出单元的输出端与负载连接，所述PMOS管Q2的源极通过电阻R7与PMOS管Q2的栅极连接，PMOS管Q2的栅极通过电阻R8接地，PMOS管Q2的源极通过电容C2接地。

优选地，所述比较控制电路包括电阻R6、电阻R1、三极管Q1、二极管D1、单片机、比较器U1、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、三极管Q3以及光耦G1；