[实用新型]一种微小电流测试电路及微小电流测试装置有效
申请号: | 201920482204.1 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN210534216U | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 乔晖;南浩;李强 | 申请(专利权)人: | 北京励芯泰思特测试技术有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R1/30;G01R31/28 |
代理公司: | 北京思格颂知识产权代理有限公司 11635 | 代理人: | 潘珺;李中永 |
地址: | 100088 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微小 电流 测试 电路 装置 | ||
本实用新型公开了一种微小电流测试电路及微小电流测试装置,所述微小电流测试电路,包括:第一高阻运算放大器和至少一组负反馈电阻电路;所述第一高阻运算放大器的同相输入端连接参考电位点IMCOM,所述参考电位点与程控电源VIS连接;所述第一高阻运算放大器的反相输入端连接被测元器件,所述第一高阻运算放大器的同、反相输入端虚短连接;所述至少一组负反馈电阻电路连接在第一高阻运算放大器的反相输入端与输出端之间,形成负反馈通路。微小电流测试电路测量精度高、稳定性好,能够实现纳安级和皮安级的微小电流测量,解决了场效应晶体管型的电子元器件的微小电流测量精度低、稳定性差等问题,实现偏置电流或漏电流的准确、有效的测量。
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,特别涉及一种微小电流测试电路及微小电流测试装置。
背景技术
随着半导体制作工艺的不断提高,制作成本逐渐降低,低功耗电路的设计越来越成熟,采用场效应晶体管的电子元器件正在各个领域运用的越来越广泛。场效应晶体管型的电子元器件的最大偏置电流能够达到纳安级,而且在输出级高阻态时的最大漏电流也可以达到纳安级的范围。当场效应晶体管型的电子元器件在使用前,为保证电路的正常运行,需要对运算放大器的性能进行测量,比如对偏置电流或漏电流进行测量,以保证场效应晶体管型的电子元器件的性能正常。
现有的电流测试装置一般只有微安级的电流测试能力,其测试精度无法达到纳安级和皮安级的精度,不能对场效应晶体管型的电子元器件的偏置电流或漏电流进行准确、有效的测量。
实用新型内容
鉴于上述问题,提出了本实用新型以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种微小电流测试电路及微小电流测试装置。
第一方面,本实用新型实施例提供一种微小电流测试电路,包括:第一高阻运算放大器和至少一组负反馈电阻电路;
所述第一高阻运算放大器的同相输入端连接参考电位点IMCOM,所述参考电位点IMCOM与程控电源VIS连接;所述第一高阻运算放大器的反相输入端连接被测元器件,所述第一高阻运算放大器的同、反相输入端虚短连接;所述至少一组负反馈电阻电路连接在第一高阻运算放大器的反相输入端与输出端之间,形成负反馈通路。
在一个实施例中,可以是,所述至少一组负反馈电阻电路包括:
一个负反馈电阻RF;或,
两个以上并联连接的负反馈电阻RF1~RFn,所述两个以上负反馈电阻 RF1~RFn分别串联一个开关,其中N为大于等于2的整数。
在一个实施例中,可以是,所述至少一组负反馈电阻电路,还包括:比例电阻Ra和比例电阻Rb;
所述负反馈电阻RF与所述比例电阻Ra串联,所述比例电阻Rb的一端与所述比例电阻Ra和所述负反馈电阻RF的连接处连接;所述比例电阻Rb的另一端接地;或,
所述两个以上并联连接的负反馈电阻RF1~RFn中的至少一个负反馈电阻 RFm与所述比例电阻Ra串联,所述比例电阻Rb的一端与所述比例电阻Ra和所述负反馈电阻RFm的连接处连接;所述比例电阻Rb的另一端接地,其中m 为整数,且m∈【1,……,n】。
在一个实施例中,可以是,所述负反馈电阻电路,还包括:至少一个补偿电容;所述每个补偿电容分别与一个负反馈电阻并联。
在一个实施例中,可以是,所述第一高阻运算放大器的同相输入端和反相输入端通过两个对向并联的二极管连接。
在一个实施例中,可以是,所述的电路还包括:DC/DC电源,所述参考电位点IMCOM连接所述DC/DC电源的公共端,所述DC/DC电源的正、反向电源输出端分别连接所述第一高阻运算放大器的正、反向电压供电输入端。
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