[实用新型]一种多阵列自适应电容层析成像传感器装置

权利要求书

1.一种多阵列自适应电容层析成像传感器装置，包括空绝缘容器、多阵列电极极板和保护外壳体，其特征在于，所述空绝缘容器包括扩展板和位于扩展板左右两侧的半圆形固定板，所述扩展板包括上板和下板，所述上板呈水平放置且下表面前后两侧焊接固定有侧滑板，所述下板位于上板的正下方，所述下板上挖设有与侧滑板位置匹配滑槽，侧滑板与滑槽滑动连接，位于扩展板左端的半圆形固定板与下板焊接固定，位于扩展板右端的半圆形固定板与上板焊接固定，所述上板和下板外侧安装有多阵列电极极板，所述保护外壳体包括绝缘层和屏蔽层，所述绝缘层位于屏蔽层内侧且两者胶粘固定而成，所述半圆形固定板外的保护外壳体为半球型，所述扩展板外侧设有上下两层的保护扩展板，所述保护扩展板包括位于上层的上移板和下移板，所述上移板和下移板呈水平放置，所述上移板和下移板滑动连接，所述空绝缘容器的左右侧面挖设有竖直的滑动槽，所述滑槽内放置有滑轮，所述绝缘层上挖设有滑轮安装槽孔，滑轮通过滑轮轴连接固定在安装槽孔内。

2.根据权利要求1所述的多阵列自适应电容层析成像传感器装置，其特征在于，所述多阵列电极极板由自上而下沿轴向等间距排列的 n 个环状极板组组成，每个环状极板组由m 个均匀分布的单元极板组成。

3.根据权利要求1所述的多阵列自适应电容层析成像传感器装置，其特征在于，所述绝缘层选择绝缘的橡胶材质。

4.根据权利要求1所述的多阵列自适应电容层析成像传感器装置，其特征在于，所述屏蔽层选择合金制成的真空箱体。

5.根据权利要求1所述的多阵列自适应电容层析成像传感器装置，其特征在于，所述上移板和下移板滑动连接，连接方式与上板和下板的连接方式相同。

6.根据权利要求1所述的多阵列自适应电容层析成像传感器装置，其特征在于，所述保护外壳体的左右侧面上设有贯穿保护外壳体的螺纹孔，通过螺栓将保护外壳体与空绝缘容器连接固定。