[实用新型]一种声光MOS漏电故障报警器

说明书

本实用新型公开了漏电报警设备技术领域的一种声光MOS漏电故障报警器，包括MOS、万用表和电阻，所述万用表的内部通过旋转轴安装有指针，所述万用表的内部刻有刻度盘，所述MOS的顶部插接有栅极，所述MOS的底部插接有漏极和源极，所述漏极位于所述源极的左侧，所述万用表的顶部插接有两个第一导线，两个所述第一导线的顶部分别通过绕接安装有第一连接笔和第二连接笔。该声光MOS漏电故障报警器的设置，结构设计合理，使用万用表和电阻对MOS的漏电进行检测，将万用表的两个连接笔分别与漏极和源极接触，万用表能够对MOS内部的微小的电流进行检测，从而及时的对电路进行处理，防止电路中的静态功耗增加。

技术领域

本实用新型涉及漏电报警设备技术领域，具体为一种声光MOS漏电故障报警器。

背景技术

mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。现有的MOS漏电故障报警装置存在一个严重的问题就是在使用时不能对MOS中的微小的电流进行检测，从而不能及时的对电路进行处理，而增加了电路中的静态功耗。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种声光MOS漏电故障报警器，以解决上述背景技术中提出的MOS漏电故障报警装置在使用时不能对MOS中的微小的电流进行检测，从而不能及时的对电路进行处理，而增加了电路中的静态功耗的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种声光MOS漏电故障报警器，包括MOS、万用表和电阻，所述万用表的内部通过旋转轴安装有指针，所述万用表的内部刻有刻度盘，所述MOS的顶部插接有栅极，所述MOS的底部插接有漏极和源极，所述漏极位于所述源极的左侧，所述万用表的顶部插接有两个第一导线，两个所述第一导线的顶部分别通过绕接安装有第一连接笔和第二连接笔，所述第一连接笔和所述第二连接笔分别与所述漏极和所述源极的外侧壁接触，所述第二连接笔的外侧壁套接有第一金属环，所述电阻的左侧壁通过第二导线与所述第一金属环连接，所述电阻的右侧壁通过所述第二导线与第二金属环连接，所述第二金属环与所述栅极配合连接。

优选的，所述第二连接笔的外侧壁开有凹型槽，所述第一金属环通过实施凹型槽套接于所述第二连接笔的外侧壁。

优选的，所述第一连接笔的下部的外侧壁套接有第一橡胶套，所述第二连接笔的下部的外侧壁套接有第二橡胶套。

优选的，所述第一金属环和所述第二金属环均为弹簧圈。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该声光MOS漏电故障报警器的设置，结构设计合理，使用万用表和电阻对MOS的漏电进行检测，将万用表的两个连接笔分别与漏极和源极接触，万用表能够对MOS内部的微小的电流进行检测，从而及时的对电路进行处理，防止电路中的静态功耗增加。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型电阻结构示意图。

图中：MOS100，栅极110，漏极120，源极130，万用表200，第一导线210，第一连接笔220，第一橡胶套221，第二连接笔230，第二橡胶套231，旋转轴240，指针250，电阻300，第二导线310，第一金属环320，第二金属环330。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。