[实用新型]一种含砷废水处理系统

说明书

针对采用高分子有机絮凝剂会削弱树脂的吸附效果的问题，本实用新型提供了一种含砷废水处理系统，其不使用高分子有机絮凝剂，也因此减少了树脂的吸附效果的削弱。其包括顺次连接的用于中和废水的第一反应槽，用于氧化处理的第二反应槽，用于添加无机絮凝剂的第三反应槽，用于中和的第四反应槽，用于深度除砷的第一吸附罐，其特征在于：其还包括管式微滤膜，所述管式微滤膜分别与所述第四反应槽和所述第一吸附罐连接。

技术领域

本实用新型涉及废水处理技术领域，具体为一种含砷废水处理系统。

背景技术

砷作为一类污染物，其排放受到严格的控制，在《污水综合排放标准》（GB8978-1996）表1中要求砷＜0.5mg/L。且砷的排放有越来越严格的趋势，《电子工业污染物排放标准》（二次征求意见稿）表2中要求砷＜0.1mg/L；上海市《半导体行业污染物排放标准》（DB31-2006）表1中A类标准为砷＜0.05mg/L）；在部分地区由于排放受到限制，甚至要求砷＜2μg/L。

半导体行业的含砷废水通常来源于两个部分，一部分来源于芯片生产过程，如清洗、剥离、刻蚀、研磨抛光及芯片切割等工序；另一部分源自砷化镓外延废气处理产生的含砷、含磷废水。工业上常用的除砷方法有化学沉淀，除砷树脂或吸附剂吸附，反渗透和蒸发浓缩工艺等。

实际工程案例中常采用化学沉淀法处理含砷废水，此法工艺成熟，操作简便，能使出水砷浓度＜0.5mg/L。但当需要达到更高排放要求，如（DB31-2006）表1中A类标准为砷＜0.05mg/L，则需再化学沉淀后，再经过深度处理。

公开号为CN106517577A的一篇专利公开了一种酸性含砷废水的处理工艺，其通过添加氧化剂、无机絮凝剂、有机絮凝剂经过混凝沉淀实现除砷，并且在一级混凝沉淀的基础上设置了二级混凝沉淀，再通过对二级混凝沉淀生成的第二溶液通过离子交换树脂吸附进行深度除砷，由于二级混凝沉淀工序中采用的有机絮凝剂是聚丙烯酰胺等高分子有机物，聚丙烯酰胺等高分子有机物会削弱树脂的吸附效果，导致深度处理效果较差。

实用新型内容

针对采用高分子有机絮凝剂会削弱树脂的吸附效果的问题，本实用新型提供了一种含砷废水处理系统，其不使用高分子有机絮凝剂，树脂的吸附效果较好。

其技术方案是这样的：一种含砷废水处理系统，其包括顺次连接的用于中和废水的第一反应槽，用于氧化处理的第二反应槽，用于添加无机絮凝剂的第三反应槽，用于中和的第四反应槽，用于深度除砷的第一吸附罐，其特征在于：其还包括管式微滤膜，所述管式微滤膜分别与所述第四反应槽和所述第一吸附罐连接。

其进一步特征在于：

所述第四反应槽和所述管式微滤膜之间还设有用于投加除砷药剂的浓缩槽；

所述管式微滤膜和所述第一吸附罐之间还连接有用于添加铁复合药剂的第五反应槽；

所述第五反应槽还用于中和废水；

所述管式微滤膜和所述第一吸附罐之间还连接有除砷滤器；

所述除砷滤器的滤料为天然锰砂或二氧化锰涂层的多孔介质；

所述除砷滤器与所述第一吸附罐之间还连接有第二吸附罐，所述第二吸附罐内有除磷树脂；

所述除砷滤器和所述第二吸附罐之间还连接有用于降低氧化还原电位的第六反应槽；

所述第二吸附罐和所述第一吸附罐之间还连接有用于中和的第七反应槽；

所述第一吸附罐后还连接有用于中和的放流槽。